| 标准编号 | GB/T 28274-2012 (GB/T28274-2012) | | 中文名称 | 硅基MEMS制造技术 版图设计基本规则 | | 英文名称 | Silicon-based MEMS fabrication technology -- The basic regulation of layout design | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | L55 | | 国际标准分类 | 31.200 | | 字数估计 | 12,13 | | 引用标准 | GB/T 26111-2010 | | 标准依据 | 国家标准公告2012年第9号 | | 发布机构 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 | | 范围 | 本标准规定了微结构加工时, 光刻版图设计中图形设计应遵循的基本规则。本标准适用于采用接触式单/双面光刻、氧化扩散、化学气相淀积(CVD)、物理气相淀积(PVD)、离子注入、反应离子刻蚀(RIE)、氢氧化钾(KOH)腐蚀、硅-玻璃对准静电结合、砂轮划片等基本工艺方法。 | GB/T 28274-2012
Silicon-based MEMS fabrication technology.The basic regulation of layout design
ICS 31.200
L55
中华人民共和国国家标准
硅基 MEMS制造技术
版图设计基本规则
2012-05-11发布
2012-12-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会发布
前言
本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
本标准由全国微机电技术标准化技术委员会(SAC/TC336)提出并归口。
本标准起草单位:北京大学、中机生产力促进中心、中国电子科技集团第十三研究所、中国科学院上
海微系统与信息技术研究所、西北工业大学。
本标准主要起草人:张大成、王玮、刘伟、杨芳、姜森林、崔波、熊斌、乔大勇。
硅基 MEMS制造技术
版图设计基本规则
1 范围
本标准规定了微结构加工时,光刻版图设计中图形设计应遵循的基本规则。
本标准适用于采用接触式单/双面光刻、氧化扩散、化学气相淀积(CVD)、物理气相淀积(PVD)、离
子注入、反应离子刻蚀(RIE)、氢氧化钾(KOH)腐蚀、硅-玻璃对准静电结合、砂轮划片等基本工艺方法。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 26111-2010 微机电系统(MEMS)技术 术语
3 术语和定义
GB/T 26111-2010界定的以及下列术语和定义适用于本文件。
3.1
双面光刻 doublesidemaskalign
在基片的一面(A面),制备与该基片另一面(B面)已有光刻图形或痕迹的有一定对准关系的图形
的过程。
3.2
亮版 lightmask
大面积透光的光刻版。
3.3
暗版 darkmask
大面积不透光的光刻版。
3.4
对准标记 alignmark
用于对准不同工序形成的图形的标记。
4 光刻对准和键合对准方法
4.1 单面光刻对准方法
通过使用光刻机等工具使光刻版上图形与基片上对应的图形对准,其工作过程如图1所示。
单面光......
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