| 标准编号 | GB/T 28275-2012 (GB/T28275-2012) | | 中文名称 | 硅基MEMS制造技术 氢氧化钾腐蚀工艺规范 | | 英文名称 | Silicon-based MEMS fabrication technology -- Specification for KOH etch process | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | L55 | | 国际标准分类 | 31.200 | | 字数估计 | 11,153 | | 引用标准 | GB/T 26111-2010; GB/T 1031-2009; GB 50073-2001 | | 标准依据 | 国家标准公告2012年第9号 | | 发布机构 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 | | 范围 | 本标准规定了采用氢氧化钾腐蚀工艺进行MEMS器件加工时应遵循的工艺要求。本标准适用于氮氧化钾腐蚀工艺和管理。 | GB/T 28275-2012
ICS 31.200
L55
中华人民共和国国家标准
硅基 MEMS制造技术
氢氧化钾腐蚀工艺规范
2012-05-11发布
2012-12-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会发布
前言
本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
本标准由全国微机电技术标准化技术委员会(SAC/TC336)提出并归口。
本标准起草单位:中国科学院上海微系统与信息技术研究所、重庆大学、东南大学、中国电子科技集
团第四十九研究所、中机生产力促进中心。
本标准主要起草人:夏伟锋、熊斌、冯飞、戈肖鸿、周再发、李玉玲、贺学锋、田雷、刘伟。
硅基 MEMS制造技术
氢氧化钾腐蚀工艺规范
1 范围
本标准规定了采用氢氧化钾腐蚀工艺进行 MEMS器件加工时应遵循的工艺要求。
本标准适用于氢氧化钾腐蚀工艺和管理。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 26111-2010 微机电系统(MEMS)技术 术语
GB/T 1031-2009 产品几何技术规范(GPS) 表面结构 轮廓法 表面粗糙度参数及其数值
GB 50073-2001 洁净厂房设计规范
3 术语和定义
GB/T 26111-2010界定的以及下列术语和定义适用于本文件。
3.1
洁净度 cleanliness
以单位体积空气某粒径粒子的数量来区分的洁净程度。
3.2
洁净室 cleanroom
空气悬浮粒子浓度受控的房间。它的建造和使用应减少室内诱入、产生及滞留粒子。室内其他有
关参数如温度、湿度、压力等按要求进行控制。
3.3
湿法刻蚀 wetetching
利用与待刻材料可产生化学反应的溶液对薄膜或器件结构进行腐蚀的技术。
注:在进行湿法刻蚀时,将不需要腐蚀的一部分掩模,暴露其余的部分,然后将材料浸入反应溶液中。可分为各向
同性刻蚀和各向异性刻蚀。......
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