| 标准编号 | GB/T 28276-2012 (GB/T28276-2012) | | 中文名称 | 硅基MEMS制造技术 体硅溶片工艺规范 | | 英文名称 | Silicon-based MEMS fabrication technology -- Specification for dissolved wafer process | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | L55 | | 国际标准分类 | 31.200 | | 字数估计 | 15,128 | | 引用标准 | GB 50073-2001; GB/T 19022-2003; GB/T 26111-2010 | | 标准依据 | 国家标准公告2012年第9号 | | 发布机构 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 | | 范围 | 本标准规定了采用体硅溶片加工工艺进行MEMS器件加工时应遵循的工艺要求和工艺评价规范。本标准适用于体硅溶片工艺的加工和质量检验。 | GB/T 28276-2012
ICS 31.200
L55
中华人民共和国国家标准
硅基 MEMS制造技术
体硅溶片工艺规范
2012-05-11发布
2012-12-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会发布
目次
前言 Ⅰ
1 范围 1
2 规范性引用文件 1
3 术语和定义 1
4 工艺流程 2
4.1 体硅溶片工艺流程 2
4.2 硅片加工工艺流程 2
4.3 玻璃片加工工艺流程 3
4.4 硅-玻璃键合片工艺流程 4
5 工艺加工能力 4
6 工艺保障条件要求 4
6.1 人员要求 4
6.2 环境要求 4
6.3 设备要求 5
7 原材料要求 6
8 安全操作要求 6
8.1 用电安全 6
8.2 化学试剂 6
8.3 排废 6
9 工艺检验 6
9.1 总则 6
9.2 关键工序检验 7
9.3 最终检验 8
附录A(资料性附录) 体硅溶片关键工序检验方法 10
前言
本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
本标准由全国微机电技术标准化技术委员会(SAC/TC336)提出并归口。
本标准起草单位:中国电子科技集团第十三研究所、中机生产力促进中心、北京大学、中国科学院上
海微系统与信息技术研究所。
本标准主要起草人:崔波、罗蓉、刘伟、张大成、熊斌、陈海蓉。
硅基 MEMS制造技术
体硅溶片工艺规范
1 范围
本标准规定了采用体硅溶片加工工艺进行MEMS器件加工时应遵循的工艺要求和工艺评价规范。
本标准适用于体硅溶片工艺的加工和质量检验。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB 50073-2001 洁净厂房设计规范
GB/T 19022-2003 测量管理体系 测量过程和测量设备的要求
GB/T 26111-2010 微机电系统(MEMS)技术 术语
3 术语和定义
GB/T 26111-2010和GB/T 19022-2003界定的以及下列术语和定义适用于本文件。
3.1
关键(部件)特征尺寸在亚微米至亚毫米之间,能独立完成机光电等功能的系统。
注1:微机电系统一般包括微型机构、微传感器、微执行器、信号处理和控制、通讯接口电路以及能源等部分。
注2:微机电系统通常需要多学科领域技术的综合应用,例如机、电、光、生物等多种领域。
注3:MEMS主要在美国使用,微系统主要在欧洲使用,微机械主要在日本使用。
[GB/T 26111-2010,定义3.1.1]
3.2
体微加工工艺 bulkmicromachining
通过选择性去除部分基底材料实现微结构的微机械加工方法。
注:体微机械工艺式通过化学方法刻蚀去除基底不需要部分的加工方法。通过使用SiO2 或SiN掩膜可以保护表
面不被刻蚀。硼参杂层也可以停止表面层以下部分的刻蚀。
[GB/T 26111-2010,定义3.5.16]
3.3
利用硼重掺杂硅在各向异性腐蚀剂中的自停止腐蚀效应实现 MEMS结构的硅基加工技术。
注:体硅溶片工艺采用玻璃做支撑材料,利用干法刻蚀技术在经过硼重掺杂的硅片上形成 MEMS结构,利用阳极
键合技术实现硅片与玻璃......
|