| 标准编号 | GB/T 29504-2013 (GB/T29504-2013) | | 中文名称 | 300 mm硅单晶 | | 英文名称 | 300 mm monocrystalline silicon | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | H82 | | 国际标准分类 | 29.045 | | 字数估计 | 7,721 | | 引用标准 | GB/T 1550; GB/T 1551-2009; GB/T 1554; GB/T 1555; GB/T 1557; GB/T 1558; GB/T 11073-2007; GB/T 14140; GB/T 14264; YS/T 679 | | 标准依据 | 国家标准公告2013年第6号 | | 发布机构 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 | | 范围 | 本标准规定了直径300mm、p型、(100)晶向、电阻率0.5Ω·cm～20Ω·cmm硅单晶的技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存等。本标准适用于由直拉法制备的硅单晶, 主要用于制作满足集成电路IC用线宽0.13μm及以下技术需求的300 mm硅单晶抛光片。 | GB/T 29504-2013
300 mm monocrystalline silicon
ICS 29.045
H82
中华人民共和国国家标准
300mm硅单晶
2013-05-09发布
2014-02-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会发布
前言
本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)提出并归口。
本标准起草单位:有研半导体材料股份有限公司、中国有色金属工业标准计量质量研究所、万向硅
峰电子股份有限公司、宁波立立电子股份有限公司。
本标准主要起草人:闫志瑞、孙燕、卢立延、张果虎、楼春兰、刘培东、向磊。
300mm硅单晶
1 范围
本标准规定了直径300mm、p型、< 100 >晶向、电阻率0.5Ω·cm~20Ω·cm硅单晶的技术要求、
试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存等。
本标准适用于由直拉法制备的硅单晶,主要用于制作满足集成电路IC用线宽0.13μm及以下技
术需求的300mm硅单晶抛光片。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T 1551-2009 硅单晶电阻率测定方法
GB/T 1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
GB/T 1555 半导体单晶晶向测定方法
GB/T 1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
GB/T 1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法
GB/T 11073-2007 硅片径向电阻率变化的测量方法
GB/T 14140 硅片直径测量方法
GB/T 14264 半导体材料术语
YS/T 679 非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法
3 术语和定义
GB/T 14264界定的术语和定义适用于本文件。
4 技术要求
4.1 直径
滚圆后的硅单晶直径为301mm,允许偏差±0.3mm。其他用户要求及未滚圆硅单晶的直径和允
许偏差由供需双方商定。
4.2 电阻率
4.2.......
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