GB/T 45720-2025 相关标准英文版PDF
| 标准号码 | 价格美元 | 第2步(购买) | 交付天数 | 标准名称 |
| GB/T 45720-2025 | 454 | GB/T 45720-2025 | [PDF]天数 <=3 | 半导体器件 栅介质层的时间相关介电击穿（TDDB）试验 |
| 基本信息 | |
|---|---|
| 标准编号 | GB/T 45720-2025 (GB/T45720-2025) |
| 中文名称 | 半导体器件 栅介质层的时间相关介电击穿（TDDB）试验 |
| 英文名称 | Semiconductor devices - Time dependent dielectric breakdown (TDDB) test for gate dielectric films |
| 行业 | 国家标准 (推荐) |
| 中标分类 | L55 |
| 国际标准分类 | 31.080.01 |
| 字数估计 | 22,262 |
| 发布日期 | 2025-05-30 |
| 实施日期 | 2025-09-01 |
| 发布机构 | 国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会 |
GB/T 45720-2025: 半导体器件 栅介质层的时间相关介电击穿（TDDB）试验
ICS 31.080.01
CCSL55
中华人民共和国国家标准
半导体器件 栅介质层的时间相关
介电击穿(TDDB)试验
(IEC 62374:2007,IDT)
2025-05-30发布
2025-09-01实施
国 家 市 场 监 督 管 理 总 局
国 家 标 准 化 管 理 委 员 会 发 布
目次
前言 Ⅲ
1 范围 1
2 规范性引用文件 1
3 术语和定义 1
4 试验设备 3
5 试验样品 3
5.1 通则 3
5.2 测试结构(电容器结构) 3
5.3 面积 3
6 步骤 4
6.1 概述 4
6.2 预测试 4
6.3 试验条件 5
6.4 判据 5
7 寿命时间估算 7
7.1 概述 7
7.2 加速模型 8
7.3 寿命时间估算步骤 10
8 寿命时间与栅氧面积的关系 12
附录A(资料性) 补充确定试验条件和数据分析 13
参考文献 16
前言
本文件按照GB/T 1.1-2020《标准化工作导则 第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定
起草。
本文本件等同采用IEC 62374:2007《半导体器件 栅介质层的时间相关介电击穿(TDDB)试验》。
本文件增加了“规范性引用文件”一章。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。
本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出。
本文件由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC78)归口。
本文件起草单位:工业和信息化部电子第五研究所、吉林华微电子股份有限公司、安徽长麦智能科
技有限公司 、中国科学院半导体研究所、广东汇芯半导体有限公司、贵州振华风光半导体股份有限公
司、河北北芯半导体科技有限公司、东莞赛诺高德蚀刻科技有限公司、中芯国际集成电路制造(上海)有
限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、深圳市森美协尔科技有限公司。
本文件主要起草人:陈义强、来萍、高汭、蔡荣敢、冯宇翔、王力纬、董显山、肖庆中、陈媛、常江、
刘岳阳、刘岗岗、裴选、张亮旗、冯军宏、迟雷、夏自金、刘世文。
半导体器件 栅介质层的时间相关
介电击穿(TDDB)试验
1 范围
本文件描述了半导体器件栅介质层的时间相关介电击穿(TDDB)试验方法以及TDDB失效的产品
寿命时间估算方法。
2 规范性引用文件
本文件没有规范性引用文件。
3 术语和定义
下列术语和定义适用于本文件。
3.1
Eox
栅氧电压除以栅氧厚度,见公式(1)。
注:
Eox =Vox/tox (1)
式中:
Eox---栅氧电场强度,单位为兆伏每厘米(MV/cm);
Vox---栅氧电压;
tox ---栅氧厚度。
tox应通过统一的、有据可查的方法(扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)或电容-电压(CV)分析的物理
测量方法)进行测定。需要指出的是,施加的电压不一定是栅氧上的电压。超薄栅氧由于存在量子限域效应和栅电极耗
尽效应,栅氧电压会比施加的电压要低。
测量tox的方法或规定测量方法的标准在数据报告中进行引用。
3.2
Ig
在绝缘栅场效应晶体管的栅极引出端流动的泄漏电流。
注:栅极泄漏电流通常使用字母符号“Ig”。
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