| 标准编号 | GB/T 4937.13-2018 (GB/T4937.13-2018) | | 中文名称 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第13部分：盐雾 | | 英文名称 | Semiconductor devices -- Mechanical and climatic test methods -- Part 13: Salt atmosphere | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | L40 | | 国际标准分类 | 31.080.01 | | 字数估计 | 6,682 | | 发布日期 | 2018-09-17 | | 实施日期 | 2019-01-01 | | 发布机构 | 国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会 | GB/T 4937.13-2018
Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 13: Salt atmosphere
ICS 31.080.01
L40
中华人民共和国国家标准
半导体器件 机械和气候试验方法
第13部分:盐雾
(IEC 60749-13:2002,IDT)
2018-09-17发布
2019-01-01实施
国 家 市 场 监 督 管 理 总 局
中国国家标准化管理委员会 发 布
前言
GB/T 4937《半导体器件 机械和气候试验方法》由以下部分组成:
---第1部分:总则;
---第2部分:低气压;
---第3部分:外部目检;
---第4部分:强加速稳态湿热试验(HAST);
---第5部分:稳态温湿度偏置寿命试验;
---第6部分:高温贮存;
---第7部分:内部水汽含量测试和其他残余气体分析;
---第8部分:密封;
---第9部分:标志耐久性;
---第10部分:机械冲击;
---第11部分:快速温度变化 双液槽法;
---第12部分:扫频振动;
---第13部分:盐雾;
---第14部分:引出端强度(引线牢固性);
---第15部分:通孔安装器件的耐焊接热;
---第16部分:粒子碰撞噪声检测(PIND);
---第17部分:中子辐照;
---第18部分:电离辐射(总剂量);
---第19部分:芯片剪切强度;
---第20部分:塑封表面安装器件耐潮湿和焊接热综合影响;
---第20-1部分:对潮湿和焊接热综合影响敏感的表面安装器件的操作、包装、标志和运输;
---第21部分:可焊性;
---第22部分:键合强度;
---第23部分:高温工作寿命;
---第24部分:加速耐湿 无偏置强加速应力试验(HSAT);
---第25部分:温度循环;
---第26部分:静电放电(ESD)敏感度试验 人体模型(HBM);
---第27部分:静电放电(ESD)敏感度试验 机械模型(MM);
---第28部分:静电放电(ESD)敏感度试验 带电器件模型(CDM) 器件级;
---第29部分:闩锁试验;
---第30部分:非密封表面安装器件在可靠性试验前的预处理;
---第31部分:塑封器件的易燃性(内部引起的);
---第32部分:塑封器件的易燃性(外部引起的);
---第33部分:加速耐湿 无偏置高压蒸煮;
---第34部分:功率循环;
---第35部分:塑封电子元器件的声学扫描显微镜检查;
---第36部分:恒定加速度;
---第37部分:采用加速度计的板级跌落试验方法;
---第38部分:半导体存储器件的软错误试验方法;
---第39部分:半导体元器件原材料的潮气扩散率和水溶解率测量;
---第40部分:采用张力仪的板级跌落试验方法;
---第41部分:非易失性存储器件的可靠性试验方法;
---第42部分:温度和湿度贮存;
---第43部分:集成电路(IC)可靠性鉴定方案指南;
---第44部分:半导体器件的中子束辐照单粒子效应试验方法。
本部分为GB/T 4937的第13部分。
本部分按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
本部分使用翻译法等同采用IEC 60749-13:2002《半导体器件 机械和气候试验方法 第13部分:
盐雾》。
与本部分中规范性引用的国际文件有一致性对应关系的我国文件为:
---GB/T 4937.14-2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第14部分:引出端强度(引线牢
固性)(IEC 60749-14:2003,IDT);
---GB/T 2423.17-2008 电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法 试验 Ka:盐雾
(IEC 60068-2-11:1981,IDT)。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。
本部分由中华人民共和国工业和信息化部提出。
本部分由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC78)归口。
本部分起草单位:中国电子科技集团公司第十三研究所、北京大学微电子研究院、无锡必创传感科
技有限公司。
本部分主要起草人:张艳杰、彭浩、李树杰、岳振鹏、崔波、高金环、裴选、张天福、迟雷、张威、陈得民、
周刚。
半导体器件 机械和气候试验方法
第13部分:盐雾
1 范围
GB/T 4937的本部分规定了半导体器件的盐雾试验方法,以确定半导体器件耐腐蚀的能力。本试
验是模拟严酷的海边大气对器件暴露表面影响的加速试验。适用于工作在海上和沿海地区的器件。
本试验是破坏性试验。
本试验总体上符合IEC 60068-2-11,但鉴于半导体器件的特殊要求,采用本部分的条款。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
IEC 60749-14 半导体器件 机械和气候试验方法 第14部分:引出端强度(引线牢固性)[Semi-
integrity)]
2:Tests-TestKa:Saltmist)
3 试验设备
盐雾试验所用设备应包括:
a) 带有耐腐蚀的支撑器件夹具的温控试验箱;
b) 盐溶液槽:所用的盐应为无水氯化钠,其碘化钠的质量分数不超过0.1%,且总杂质的含量不超
过0.3%,蒸馏水(或使用的其他水)的杂质含量不超过200×10-6,应通过过滤以控制溶液的
杂质含量,为了达到第4章所要求的沉降率,去离子水或蒸馏水盐溶液的盐浓度应为
0.5%~3% (质量百分比);
c) 使盐液雾化的装置,包括合适的喷嘴和压缩空气源;
d) 高于箱内温度的某温度下,保持空气潮湿的装置;
e) 1倍~3倍、10倍~20倍的放大镜。
4 程序
按4.1的要求预处理之后,试验样品应按如下方式放置在试验箱里,使它们彼此不接触,彼此不遮
挡,能自由地接......
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