SJH 20635-1997 相关标准英文版PDF
| 标准号码 | 价格美元 | 第2步(购买) | 交付天数 | 标准名称 |
| SJ 20635-1997 | 559 | SJ 20635-1997 | [PDF]天数 <=3 | 半绝缘砷化镓剩余杂质浓度微区试验方法 |
| 基本信息 | |
|---|---|
| 标准编号 | SJ 20635-1997 (SJ20635-1997) |
| 中文名称 | 半绝缘砷化镓剩余杂质浓度微区试验方法 |
| 英文名称 | Test method for residual impurities concentration in microzone of semi-insulating gallium arsenide |
| 行业 | 电子行业标准 |
| 中标分类 | H83 |
| 国际标准分类 | 31.26 |
| 字数估计 | 14,178 |
| 发布日期 | 6/17/1997 |
| 实施日期 | 10/1/1997 |
| 引用标准 | SJ 3249.2-1989 |
| 范围 | 本标准规定了厚度为0.4～2.0mm的半绝缘砷化镓晶片中碳、EL2、铬和硅浓度的微区测量方法。本标准适用于半绝缘砷化镓晶片中主要剩余杂质碳、EL2、铬和硅浓度的测定。 |
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