SJH 20636-1997 相关标准英文版PDF
| 标准号码 | 价格美元 | 第2步(购买) | 交付天数 | 标准名称 |
| SJ 20636-1997 | 359 | SJ 20636-1997 | [PDF]天数 <=3 | IC用大直径薄硅片的氧、碳含量微区试验方法 |
| 基本信息 | |
|---|---|
| 标准编号 | SJ 20636-1997 (SJ20636-1997) |
| 中文名称 | IC用大直径薄硅片的氧、碳含量微区试验方法 |
| 英文名称 | Test method for oxygen and carbon contents of large diameter thin silicon wafer in microzone for use in IC |
| 行业 | 电子行业标准 |
| 中标分类 | H81 |
| 字数估计 | 9,923 |
| 发布日期 | 6/17/1997 |
| 实施日期 | 10/1/1997 |
| 引用标准 | GB 1558-83; GB/T 14143-93 |
| 范围 | 本标准规定了厚度为O.3～2.0mm的硅晶片中间隙氧含量微区径向分布和替位碳含量微区测量方法。本标准通用于室温电阻率在大于0.1Ωcm的硅晶片中间隙氧含最微区径向分布和替位碳含量微区测定。测量范围, 对于间隙氧含量为3.0×10^(16)at.cm^(-3)至间隙氧在硅中最大固溶度; 对于替位碳含最为5.0×10^(15)at.cm^(-3)至替位碳在硅中最大固溶度。 |
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