SJH 5003385-1995 相关标准英文版PDF
| 标准号码 | 价格美元 | 第2步(购买) | 交付天数 | 标准名称 |
| SJ 50033/85-1995 | 439 | SJ 50033/85-1995 | [PDF]天数 <=3 | 半导体分立器件.CS141型硅N沟道MOS耗尽型场效应晶体管详细规范 |
| 基本信息 | |
|---|---|
| 标准编号 | SJ 50033/85-1995 (SJ50033/85-1995) |
| 中文名称 | 半导体分立器件.CS141型硅N沟道MOS耗尽型场效应晶体管详细规范 |
| 英文名称 | Semiconductor discrete device. Detail specification for type CS141 silicon N-channel MOS enhancement mode field-effect transistor |
| 行业 | 电子行业标准 |
| 中标分类 | L42 |
| 字数估计 | 11,113 |
| 发布日期 | 5/25/1995 |
| 实施日期 | 12/1/1995 |
| 引用标准 | GB 4586-1984; GB 7581-1987; GJB 33-1985; GJB 128-1986 |
| 范围 | 本规范规定了CS141型硅N沟道MOS耗尽型场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。 |
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