SJ/T 11471-2014 相关标准英文版PDF
| 标准号码 | 价格美元 | 第2步(购买) | 交付天数 | 标准名称 |
| SJ/T 11471-2014 | 259 | SJ/T 11471-2014 | [PDF]天数 <=3 | 发光二极管外延片测试方法 |
| 基本信息 | |
|---|---|
| 标准编号 | SJ/T 11471-2014 (SJ/T11471-2014) |
| 中文名称 | 发光二极管外延片测试方法 |
| 英文名称 | Measurement methods for epitaxial wafers of light-emitting diodes |
| 行业 | 电子行业标准 (推荐) |
| 中标分类 | H83 |
| 国际标准分类 | 29.045 |
| 字数估计 | 10,113 |
| 发布日期 | 10/14/2014 |
| 实施日期 | 4/1/2015 |
| 标准依据 | 中华人民共和国工业和信息化部公告2014年第63号;行业标准备案公告2014年第12号(总第180号) |
| 发布机构 | 工业和信息化部 |
| 范围 | 本标准规定了可见光发光二极管外延片的几何参数、表面缺陷、结构参数及光电参数的测试方法。本标准适用于镓砷磷系、镓铝砷系、铝镓铟磷系及铝镓铟氮系外延片。 |
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