搜索结果: GB/T 11072-2009, GB/T11072-2009, GBT 11072-2009, GBT11072-2009
| 标准编号 | GB/T 11072-2009 (GB/T11072-2009) | | 中文名称 | 锑化铟多晶、单晶及切割片 | | 英文名称 | Indium antimonide polycrystal, single crystals and as-cut slices | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | H83 | | 国际标准分类 | 29.045 | | 字数估计 | 8,859 | | 发布日期 | 2009-10-30 | | 实施日期 | 2010-06-01 | | 旧标准 (被替代) | GB/T 11072-1989 | | 引用标准 | GB/T 4326; GB/T 8759; GB/T 11297 | | 标准依据 | 国家标准批准发布公告2009年第12号(总第152号) | | 发布机构 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 | | 范围 | 本标准规定了锑化铟多晶、单晶及单晶切割片的产品分类、技术要求和试验方法等。本标准适用于区熔法制备的锑化铟多晶及直拉法制备的供制作红外探测器和磁敏元件等用的锑化铟多晶、单晶及切割片。 | GB/T 11072-2009
Indium antimonide polycrystal, single crystals and as-cut slices
ICS ２９．０４５
H８３
中华人民共和国国家标准
GB/T １１０７２-２００９
代替GB/T １１０７２-１９８９
锑化铟多晶、单晶及切割片
２００９-１０-３０发布
２０１０-０６-０１实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会发布
前言
本标准代替GB/T １１０７２-１９８９《锑化铟多晶、单晶及切割片》。
本标准与GB/T １１０７２-１９８９相比，主要有如下变化：
---将原标准中直径１０ｍｍ～５０ｍｍ全部改为１０ｍｍ～２００ｍｍ；
---在原标准的基础上增加了直径＞５０ｍｍ，厚度不小于１２００μｍ，厚度偏差±４０μｍ；
---将原标准中位错密度级别１、２、３中直径≥３０ｍｍ～５０ｍｍ全部改为≥３０ｍｍ～２００ｍｍ；
---在原标准的基础上增加了直径为１００ｍｍ、１５０ｍｍ、２００ｍｍ的切割片直径、参考面长度及其
偏差；
---将原标准中的附录Ａ去掉，增加引用标准GB/T １１２９７；
---增加了“订货单（或合同）内容”一章内容。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准起草单位：峨嵋半导体材料厂。
本标准主要起草人：王炎、何兰英、张梅。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为：
---GB/T １１０７２-１９８９。
GB/T １１０７２-２００９
锑化铟多晶、单晶及切割片
１ 范围
１．１ 本标准规定了锑化铟多晶、单晶及单晶切割片的产品分类、技术要求和试验方法等。
１．２ 本标准适用于区熔法制备的锑化铟多晶及直拉法制备的供制作红外探测器和磁敏元件等用的锑
化铟多晶、单晶及切割片。
２ 规范性引用文件
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有
的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究
是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。
GB/T ４３２６ 非本征半导体晶体霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
GB/T ８７５９ 化合物半导体单晶晶向Ｘ衍射测量方法
GB/T １１２９７ 锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法
３ 产品分类
３．１ 导电类型、规格
３．１．１ 多晶
多晶的导电类型为ｎ型，按载流子迁移率分为三级。
３．１．２ 单晶
锑化铟单晶按导电类型分为ｎ型和ｐ型，以掺杂剂、载流子浓度和迁移率分类，按直径与位错密度
分为三级。
３．１．３ 切割片
按３．１．２分类与分级，其厚度不小于５００μｍ。
３．２ 牌号
３．２．１ 锑化铟多晶与单晶的牌号表示为：
ＩｎＳｂ -
１
２
３
１---用ＰＩｎＳｂ表示锑化铟多晶，ＭＩｎＳｂ表示锑化铟单晶；
２---......
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