搜索结果: GB/T 14620-2013, GB/T14620-2013, GBT 14620-2013, GBT14620-2013
| 标准编号 | GB/T 14620-2013 (GB/T14620-2013) | | 中文名称 | 薄膜集成电路用氧化铝陶瓷基片 | | 英文名称 | Alumina ceramic substrates for thin film integrated circuits | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | L90 | | 国际标准分类 | 31.030 | | 字数估计 | 14,160 | | 旧标准 (被替代) | GB/T 14620-1993 | | 引用标准 | GB/T 1958; GB/T 2413; GB/T 2828.1; GB/T 2829; GB/T 5593; GB/T 5594.3; GB/T 5594.4; GB/T 5594.5; GB/T 5594.7; GB/T 5598; GB/T 6062; GB/T 6900; GB/T 9531.1; GB/T 14619-2013; GB/T 16534-2009; GJB 548B-2005; GJB 1201.1-1991 | | 标准依据 | 国家标准公告2013年第22号 | | 发布机构 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 | | 范围 | 本标准规定了薄膜集成电路用氧化铝陶瓷基片的要求、测试方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。本标准适用于薄膜集成电路用氧化铝陶瓷基片(以下简称"基片")的生产和采购, 采用薄膜工艺的片式元件用氧化铝陶瓷基片也可参照使用。 | GB/T 14620-2013
Alumina ceramic substrates for thin film integrated circuits
ICS 31.030
L90
中华人民共和国国家标准
代替GB/T 14620-1993
薄膜集成电路用氧化铝陶瓷基片
2013-11-12发布
2014-04-15实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会发布
前言
本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
本标准代替GB/T 14620-1993《薄膜集成电路用氧化铝陶瓷基片》,与GB/T 14620-1993相比,
主要变化如下:
---增加了术语和产品标识(见第3章和第4章);
---增加了对标称氧化铝含量不能小于实际含量的要求(见4.3);
---细化了划线前后可能对基片外形尺寸造成影响的指标(见5.2.2);
---增加了对基片直线度的要求(见表2);
---区分烧结和抛光基片(见表1和表5);
---对基片翘曲度的测试进行了详细说明(见附录A)。
本标准由中华人民共和国工业和信息化部提出。
本标准由中国电子技术标准化研究院归口。
本标准起草单位:中国电子技术标准化研究院。
本标准主要起草人:曹易、李晓英。
本标准所代替标准的历次版本发布情况:
---GB/T 14620-1993。
薄膜集成电路用氧化铝陶瓷基片
1 范围
本标准规定了薄膜集成电路用氧化铝陶瓷基片的要求、测试方法、检验规则、标志、包装、运输和
贮存。
本标准适用于薄膜集成电路用氧化铝陶瓷基片(以下简称“基片”)的生产和采购,采用薄膜工艺的
片式元件用氧化铝陶瓷基片也可参照使用。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
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GB/T 5594.5 电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法 体积电阻率测试方法
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GB/T 14619-2013 厚膜集成电路用氧化铝陶瓷基片
GB/T 16534-2009 精细陶瓷室温硬度试验方法
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GJB1201.1-1991 固体材料高温热扩散率测试方法 激光脉冲法
3 术语和定义
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