GB/T 14863-2013 相关标准英文版PDF

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GB/T 14863-2013	英文版	559	GB/T 14863-2013	[PDF]天数 <=3	用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法	GB/T 14863-2013	作废
GB/T 14863-1993	英文版	399	GB/T 14863-1993	[PDF]天数 <=3	用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的标准方法	GB/T 14863-1993	作废

基本信息
标准编号	GB/T 14863-2013 (GB/T14863-2013)
中文名称	用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法
英文名称	Method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes
行业	国家标准 (推荐)
中标分类	H80
国际标准分类	29.045
字数估计	14,152
旧标准 (被替代)	GB/T 14863-1993
引用标准	GB/T 14141; GB/T 14146; GB/T 14847; SEMI MF110-1105
标准依据	国家标准公告2013年第27号
发布机构	中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
范围	本标准规定了用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的测试方法。本标准适用于外延层厚度不小于某一最小厚度值(见附录A)相同或相反导电类型衬底上的n型或p型外延层的净载流子浓度测量。本标准也适用于硅抛光片的净载流子浓度测量。

GB/T 14863-2013 Method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes ICS 29.045 H80 中华人民共和国国家标准代替GB/T 14863-1993 用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法 2013-12-31发布 2014-08-15实施中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会发布前言本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。本标准代替GB/T 14863-1993《用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的标准方法》。本标准与GB/T 14863-1993相比,主要有下列变化: ---增加了标准的“前言”; ---调整并增加了引用标准; ---对试验条件、试验方法进行了简化和调整; ---对附录进行了调整。本标准由中华人民共和国工业和信息化部提出。本标准由中国电子技术标准化研究院归口。本标准起草单位:信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国电子技术标准化研究院。本标准主要起草人:何秀坤、董颜辉、周智慧、段曙光、刘筠。本标准所代替标准的历次版本发布情况为: ---GB/T 14863-1993。用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法 1 范围本标准规定了用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的测试方法。本标准适用于外延层厚度不小于某一最小厚度值(见附录A)相同或相反导电类型衬底上的n型或 p型外延层的净载流子浓度测量。本标准也适用于硅抛光片的净载流子浓度测量。 2 规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。 GB/T 14141 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定直排四探针法 GB/T 14146 硅外延层载流子浓度测定汞探针电容-电压法 GB/T 14847 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延厚度的红外反射测量方法 SEMIMF110-1105 用磨角和染色技术测定硅外延或扩散层厚度的试验方法 3 术语和定义下列术语和定义适用于本文件。 3.1 击穿电压 breakdownvoltage 被测二极管出现10μA漏电电流时的反向偏压。 4 方法原理测量栅控或非栅控p-n结或肖特基二极管的小讯号高频电容与反向偏压的函数关系,由所测电容和反向偏压值确定净载流子浓度与深度的函数关系。对于栅控二极管的测量,栅极加一恒定偏压。 5 测量仪器 5.1 电容电桥或电容计量程满刻度为1pF~1000pF,以10倍增大或减小。测量频率范围为0.09MHz~1.1MHz,每个量程准确度优于满刻度的1.0%,重复性优于满刻度的0.25%。仪器应能承受200V或绝对值更高的外加直流偏压,能补偿不低于5pF的外部探针架的杂......

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