搜索结果: GB/T 30110-2013, GB/T30110-2013, GBT 30110-2013, GBT30110-2013
| 标准编号 | GB/T 30110-2013 (GB/T30110-2013) | | 中文名称 | 空间红外探测器碲镉汞外延材料参数测试方法 | | 英文名称 | Measuring methods of parameters of HgCdTe epilayers used for space infrared detectors | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | H80 | | 国际标准分类 | 49.060 | | 字数估计 | 35,370 | | 引用标准 | GB/T 1553-2009; GB/T 1555-2009; GB/T 4326-2006; GJB 548B-2005; GJB 1485; GJB 2712 | | 标准依据 | 国家标准公告2013年第25号 | | 发布机构 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 | | 范围 | 本标准规定了空间红外探测器用碲镉汞(HgCdTe)外延材料性能参数的测试方法和测试设备要求。本标准适用于空间红外探测器用啼镉汞外延材料的参数测试, 其他用途的碲镉汞外延材料参数的测试可参照使用。 | GB/T 30110-2013
Measuring methods of parameters of HgCdTe epilayers used for space infrared detectors
ICS 49.060
H80
中华人民共和国国家标准
空间红外探测器碲镉汞外延材料
参数测试方法
2013-12-17发布
2014-05-15实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会发布
目次
前言 Ⅰ
1 范围 1
2 规范性引用文件 1
3 术语和定义 1
4 符号和说明 3
5 材料参数测试方法 4
5.1 组分与厚度测试 4
5.2 表面晶向测试 8
5.3 晶格常数测试 9
5.4 表面平整度测试 10
5.5 表面粗糙度测试 12
5.6 材料电学参数测试 13
5.7 少数载流子寿命测试 16
5.8 位错密度测试 18
5.9 表面缺陷密度测试 20
5.10 X射线双晶衍射半峰宽测试 20
5.11 X射线形貌测试 22
5.12 材料性能非均匀性测试 23
6 空间环境下材料抗辐照性能测试方法 24
6.1 试验条件 24
6.2 材料抗辐照性能参数测试 24
7 材料参数的精密度、精确度和不确定度测试方法 24
8 测试设备要求 24
附录A(规范性附录) 材料的光学常数 25
附录B(规范性附录) 纵向组分梯度分布的碲镉汞外延材料透过率Ta+和反射率Ra-的计算 26
附录C(资料性附录) 激光干涉仪原理 29
附录D(资料性附录) 位错密度测量值的标准均方差与腐蚀坑计数平均值的关系 30
参考文献 31
前言
本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
本标准由全国空间科学及其应用标准化技术委员会(SAC/TC312)归口。
本标准起草单位:中国科学院上海技术物理研究所、中国电子科技集团第十一研究所、中国兵器工
业集团昆明物理研究所。
本标准主要起草人:杨建荣、周立庆、魏彦锋、折伟林、孙士文、陈路、王金义、何力。
空间红外探测器碲镉汞外延材料
参数测试方法
1 范围
本标准规定了空间红外探测器用碲镉汞(HgCdTe)外延材料性能参数的测试方法和测试设备
要求。
本标准适用于空间红外探测器用碲镉汞外延材料的参数测试,其他用途的碲镉汞外延材料参数的
测试可参照使用。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 1553-2009 硅和锗体内少数载流子寿命测定-光电导衰减法
GB/T 1555-2009 半导体单晶晶向测定方法
GB/T 4326-2006 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
GJB548B-2005 微电子器件试验方法和程序
GJB1485 材料物理性能测试方法的精密度、精确度和不确定度
GJB2712 测量设备的质量保证要求计量确认体系
3 术语和定义
下列术语和定义适用于本文件。
3.1
衬底 substrate
为外延提供周期性排列的表面原子结构的单晶材料。
3.2
外延材料 epitaxialmaterial
在单晶衬底上用气相和液相等生长方法获得的单晶薄膜材料。
3.3
液相外延 liquidphaseepitaxy;LPE
把半导体材料溶解在溶剂中,使其形成饱和溶液,然后把此饱和溶液覆盖在单晶衬底上,降低温度,
溶液过饱和,在衬底上沿衬底结晶轴方向生长出新的半导体单晶薄层的工艺。
[GB/T 14264-2009,......
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