搜索结果: GB/T 30855-2014, GB/T30855-2014, GBT 30855-2014, GBT30855-2014
| 标准编号 | GB/T 30855-2014 (GB/T30855-2014) | | 中文名称 | LED外延芯片用磷化镓衬底 | | 英文名称 | GaP substrates for LED epitaxial chips | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | H83 | | 国际标准分类 | 29.045 | | 字数估计 | 13,181 | | 发布日期 | 7/24/2014 | | 实施日期 | 4/1/2015 | | 引用标准 | GB/T 191; GB/T 1555; GB/T 2828.1; GB/T 4326; GB/T 6616; GB/T 6618; GB/T 6620; GB/T 6621; GB/T 6624; GB/T 13387; GB/T 13388; GB/T 14140; GB/T 14264; GB/T 14844; GJB 3076-1997 | | 标准依据 | 国家标准公告2014年第19号 | | 发布机构 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 | | 范围 | 本标准规定了LED外延芯片用磷化镓单晶衬底片的要求、检验方法以及标志、包装、运输、储存、质量证明书与订货单(或合同)内容。本标准适用于LED外延芯片的磷化镓单晶衬底。 | GB/T 30855-2014
GaP substrates for LED epitaxial chips
ICS 29.045
H83
中华人民共和国国家标准
LED外延芯片用磷化镓衬底
2014-07-24发布
2015-04-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会发布
前言
本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)及材料分技术委员会(SAC/TC
203/SC2)共同提出并归口。
本标准主要起草单位:中国科学院半导体研究所、有研光电新材料有限公司、云南中科鑫圆晶体材
料有限公司。
本标准主要起草人:赵有文、提刘旺、林泉、惠峰、赵坚强。
LED外延芯片用磷化镓衬底
1 范围
本标准规定了LED外延芯片用磷化镓单晶衬底片(以下简称衬底)的要求、检验方法以及标志、包
装、运输、储存、质量证明书与订货单(或合同)内容。
本标准适用于LED外延芯片的磷化镓单晶衬底。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
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