搜索结果: GB/T 30860-2014, GB/T30860-2014, GBT 30860-2014, GBT30860-2014
| 标准编号 | GB/T 30860-2014 (GB/T30860-2014) | | 中文名称 | 太阳能电池用硅片表面粗糙度及切割线痕测试方法 | | 英文名称 | Test methods for surface roughness and saw mark of silicon wafers for solar cells | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | H21 | | 国际标准分类 | 77.040 | | 字数估计 | 13,123 | | 发布日期 | 7/24/2014 | | 实施日期 | 4/1/2015 | | 引用标准 | GB/T 1031; GB/T 3505; GB/T 10610; GB/T 14264; GB/T 18777; GB/T 26071; GB/Z 26958.1; GB/Z 26958.20; GB/Z 26958.22; GB/Z 26958.29; GB/Z 26958.31; GB/Z 26958.32; GB/Z 26958.40; GB/Z 26958.41; GB/Z 26958.49; GB/T 29055; GB/T 29505; GB/T 30859 | | 标准依据 | 国家标准公告2014年第19号 | | 发布机构 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 | | 范围 | 本标准规定了太阳能电池用硅片(以下简称硅片)的表面粗糙度及切割线痕的接触式或非接触式轮廓测试方法。本标准适用于通过线切工艺加工生产的单晶和多晶硅片。如果需要适用于其他产品, 则需相关各方协商同意。 | GB/T 30860-2014
Test methods for surface roughness and saw mark of silicon wafers for solar cells
ICS 77.040
H21
中华人民共和国国家标准
太阳能电池用硅片表面粗糙度及
切割线痕测试方法
2014-07-24发布
2015-04-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会发布
前言
本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)及材料分技术委员会(SAC/TC
203/SC2)共同提出并归口。
本标准起草单位:中国有色金属工业标准计量质量研究所、瑟米莱伯贸易(上海)有限公司、江苏协
鑫硅材料科技发展有限公司、有研半导体材料股份有限公司、特变电工新疆新能源股份有限公司、洛阳
鸿泰半导体有限公司、连云港国家硅材料深加工产品质量监督检验中心。
本标准主要起草人:徐自亮、任皓、陈佳洵、李锐、孙燕、熊金杰、杨素心、蒋建国、王丽华、薛抗美、
黄黎。
太阳能电池用硅片表面粗糙度及
切割线痕测试方法
1 范围
本标准规定了太阳能电池用硅片(以下简称硅片)的表面粗糙度及切割线痕的接触式或非接触式轮
廓测试方法。
本标准适用于通过线切工艺加工生产的单晶和多晶硅片。如果需要适用于其他产品,则需相关各
方协商同意。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 1031 产品几何技术规范(GPS) 表面结构 轮廓法 表面粗糙度参数及其数值
GB/T 3505 产品几何技术规范(GPS) 表面结构 轮廓法 术语、定义及表面结构参数
GB/T 10610 产品几何技术规范(GPS) 表面结构 轮廓法 评定表面结构的规则和方法
GB/T 14264 半导体材料术语
GB/T 18777 产品几何技术规范(GPS) 表面结构 轮廓法 相位修正滤波器的计量特性
GB/T 26071 太阳能电池用硅单晶切割片
GB/Z 26958(所有部分) 产品几何技术规范(GPS)滤波
GB/T 29055 太阳电池用多晶硅片
GB/T 29505 硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法
GB/T 30859 太阳能电池用硅片翘曲度和波纹度测试方法
3 术语和定义
GB/T 1031、GB/T 3505、GB/T 10610、GB/T 14264、GB/T 18777、GB/T 26071、GB/T 29055和
GB/Z 26958界定的术语和定义适用于本文件。
4 方法原理
4.1 表面粗糙度
4.1.1 一般认为硅片表面粗糙度是硅片表面空域波长小于0.5mm的硅片表面变化,测量采用各种接
触式或非接触式技术的探头,在硅片表面最粗糙的单个或多个区域,或者某些规定的区域,沿一定的扫
描路径进行扫描,得到硅片表面轮廓,进一步提取出粗糙度轮廓,最后计算出硅片表面粗糙度值。
4.1.2 表征硅片表面粗糙度的参数推荐使用粗糙度轮廓算术平均偏差Ra、粗糙度轮廓最大高度Rz、
粗糙度轮廓均方根Rq、粗糙度轮廓单元平均宽度Rsm。如有必要也可采用......
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