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| 标准编号 | GB/T 34481-2017 (GB/T34481-2017) | | 中文名称 | 低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法 | | 英文名称 | Test method for measuring etch pit density (EPD) in low dislocation density monocrystalline germanium slices | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | H25 | | 国际标准分类 | 77.040 | | 字数估计 | 5,589 | | 发布日期 | 2017-10-14 | | 实施日期 | 2018-07-01 | | 标准依据 | 国家标准公告2017年第26号 | | 发布机构 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 | GB/T 34481-2017
Test method for measuring etch pit density(EPD) in low dislocation density monocrystalline germanium slices
ICS 77.040
H25
中华人民共和国国家标准
低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度
(EPD)的测量方法
2017-10-14发布
2018-07-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会发布
前言
本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准
化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本标准起草单位.云南中科鑫圆晶体材料有限公司、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、中科院半导
体研究所。
本标准主要起草人.惠峰、普世坤、董汝昆。
低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度
(EPD)的测量方法
1 范围
本标准规定了低位错密度锗单晶片的腐蚀坑密度(EPD)的测量方法。
本标准适用于测试位错密度小于1000个/cm2、直径为75mm~150mm的圆形锗单晶片的位错
腐蚀坑密度。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 5252 锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法
3 方法提要
锗单晶片经化学腐蚀法显示位错腐蚀坑后,用显微镜可观察视场面积内的腐蚀坑数目。位错腐蚀
坑密度等于穿过视场面积的腐蚀坑数目除以视场面积。锗单晶片主要有0°、(100)偏(111)6°和(100)偏
(111)9°三种,其位错图像分别如图1、图2、图3所示。
图1 0° 200× 图2 (100)偏(111)6° 200×
图3 (100)偏(111)9° 200×
......
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