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GB/T 35308-2017 相关标准英文版PDF

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GB/T 35308-2017 英文版 279 GB/T 35308-2017 [PDF]天数 <=3 太阳能电池用锗基Ⅲ-Ⅴ族化合物外延片 GB/T 35308-2017 有效
基本信息
标准编号 GB/T 35308-2017 (GB/T35308-2017)
中文名称 太阳能电池用锗基Ⅲ-Ⅴ族化合物外延片
英文名称 Epitaxial wafers of germanium based Ⅲ-Ⅴ compounds for solar cell
行业 国家标准 (推荐)
中标分类 H83
国际标准分类 29.045
字数估计 14,170
发布日期 2017-12-29
实施日期 2018-07-01
发布机构 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会

GB/T 35308-2017 Epitaxial wafers of germanium based Ⅲ-Ⅴcompounds for solar cell ICS 29.045 H83 中华人民共和国国家标准 太阳能电池用锗基Ⅲ-Ⅴ族化合物外延片 2017-12-29发布 2018-07-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会发布 前言 本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC02)共同提出并归口。 本标准起草单位.天津三安光电有限公司、厦门市三安光电科技有限公司、有色金属技术经济研 究院。 本标准主要起草人.毕京锋、宋明辉、李森林、陈文浚、吴超瑜、王笃祥、杨素心。 太阳能电池用锗基Ⅲ-Ⅴ族化合物外延片 1 范围 本标准规定了太阳能电池用锗基Ⅲ-Ⅴ族化合物外延片(以下简称“外延片”)的术语和定义、分类及 牌号、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存和质量证明书。 本标准适用于太阳能电池用锗基Ⅲ-Ⅴ族化合物外延片。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。 GB/T 2828.1 计数抽样检验程序 第1部分.按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划 GB/T 6624 硅抛光片表面质量目测检验方法 GB/T 8758 砷化镓外延层厚度红外干涉测量方法 GB/T 14146 硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法 GB/T 14264 半导体材料术语 GB/T 24580 重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法 GB/T 31227 原子力显微镜测量溅射薄膜表面粗糙度的方法 3 术语和定义 GB/T 14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件。 3.1 白点 whitedots 外延片上直径大于1mm、且小于2mm的亮点。 3.2 晶片污染 wafercontamination 由于衬底加工过程或外延过程异常导致外延片表面形成直径大于2mm的非定向散光现象。 3.3 晶格失配度 latticemismatch 数值上等于外延层晶格常数ae与衬底晶格常数a0 之差除以衬底的晶格常数a0,是描述衬底与外 延层晶格匹配的常量。 4 分类及牌号 4.1......

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