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GB/T 35310-2017 相关标准英文版PDF

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GB/T 35310-2017 英文版 199 GB/T 35310-2017 [PDF]天数 <=3 200mm硅外延片 GB/T 35310-2017 有效
   
基本信息
标准编号 GB/T 35310-2017 (GB/T35310-2017)
中文名称 200mm硅外延片
英文名称 200 mm silicon epitaxial wafer
行业 国家标准 (推荐)
中标分类 H82
国际标准分类 29.045
字数估计 10,192
发布日期 2017-12-29
实施日期 2018-07-01
标准依据 国家标准公告2017年第32号
发布机构 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会

GB/T 35310-2017 200 mm silicon epitaxial wafer ICS 29.045 H82 中华人民共和国国家标准 200mm硅 外 延 片 2017-12-29发布 2018-07-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会发布 前言 本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。 本标准起草单位.南京国盛电子有限公司、有色金属技术经济研究院。 本标准主要起草人.马林宝、骆红、杨帆、金龙、杨素心。 200mm硅 外 延 片 1 范围 本标准规定了直径200mm硅外延片的术语和定义、产品分类、要求、试验方法、检验规则以及标 志、包装、运输、贮存、质量证明书。 本标准适用于在N型和P型硅抛光衬底片上外延生长的硅外延片。产品主要用于制作集成电路 或半导体器件。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。 GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T 1555 半导体单晶晶向测定方法 GB/T 2828.1 计数抽样检验程序 第1部分.按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划 GB/T 6617 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法 GB/T 6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法 GB/T 6619 硅片弯曲度测试方法 GB/T 6620 硅片翘曲度非接触式测试方法 GB/T 6621 硅片表面平整度测试方法 GB/T 6624 硅抛光片表面质量目测检验方法 GB/T 12964 硅单晶抛光片 GB/T 14141 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法 GB/T 14142 硅外延层晶体完整性检测方法 腐蚀法 GB/T 14146 硅外延层载流子浓度测定汞探针电容-电压法 GB/T 14264 半导体材料术语 GB/T 14847 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法 GB/T 19921 硅抛光片表面颗粒测试方法 GB/T 24578 硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法 GB/T 29507 硅片平整度、厚度及总厚度变化测试 自动非接触扫描法 GB/T 32280 硅片翘曲度测试自动非接触扫描法 YS/T 28 硅片包装......

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