搜索结果: GB/T 4061-2009, GB/T4061-2009, GBT 4061-2009, GBT4061-2009
| 标准编号 | GB/T 4061-2009 (GB/T4061-2009) | | 中文名称 | 硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法 | | 英文名称 | Polycrystalline silicon-examination method-assessment of sandwiches on cross-section by chemical corrosion | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | H80 | | 国际标准分类 | 29.045 | | 字数估计 | 5,585 | | 发布日期 | 2009-10-30 | | 实施日期 | 2010-06-01 | | 旧标准 (被替代) | GB/T 4061-1983 | | 标准依据 | 国家标准批准发布公告2009年第12号(总第152号) | | 发布机构 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 | | 范围 | 本标准规定了以三氯氢硅和四氯化硅为原料在还原炉内用氢气还原出的硅多晶棒的断面夹层化学腐蚀检验方法。本标准关于断面夹层的检验适用于以三氯氢硅和四氯化硅为原料, 以细硅芯为发热体, 在还原炉内用氢气还原沉积生长出来的硅多晶棒。 | GB/T 4061-2009
Polycrystalline silicon-examination method-assessment of sandwiches on cross-section by chemical corrosion
ICS ２９．０４５
H８０
中华人民共和国国家标准
GB/T ４０６１-２００９
代替GB ４０６１-１９８３
硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法
２００９-１０-３０发布
２０１０-０６-０１实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会发布
前言
本标准代替GB ４０６１-１９８３《硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法》。
本标准与原标准相比，主要有如下改动：
---增加了“术语”、“试剂与器材”；
---增加了“检验报告”内容；
---对试样尺寸的切取方向和试样处理内容增加了要求。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准起草单位：洛阳中硅高科技有限公司。
本标准主要起草人：袁金满。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为：
---GB ４０６１-１９８３。
GB/T ４０６１-２００９
硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法
１ 范围
本标准规定了以三氯氢硅和四氯化硅为原料在还原炉内用氢气还原出的硅多晶棒的断面夹层化学
腐蚀检验方法。
本标准关于断面夹层的检验适用于以三氯氢硅和四氯化硅为原料，以细硅芯为发热体，在还原炉内
用氢气还原沉积生长出来的硅多晶棒。
２ 方法原理
本方法采用化学腐蚀法，根据氢氟酸-硝酸混合液对硅多晶断面氧化夹层及温度夹层腐蚀速率的差
别进行检验。
３ 术语
３．１
硅多晶横断面上呈同心圆状结构的氧化硅夹杂。
３．２
由于温度起伏，在硅多晶的横断面上引起结晶致密度、晶粒大小或颜色的差异，晶粒呈现出以硅芯
为中心的年轮状结构，也叫温度圈（ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｃｉｒｃｌｅ）。
４ 试剂与器材
４．１ 试剂
４．１．１ 纯水：大于２ＭΩ·ｃｍ纯水（２５℃）。
４．１．２ 氢氟酸（ＨＦ）：化学纯。
４．１．３ 硝酸（ＨＮＯ３）：化学纯。
４．２ 器材
４．２．１ 器皿：采用耐氢氟酸腐蚀材料。
４．２．２ 排风橱：采用耐酸气腐蚀材料。
５ 试样制备
５．１ 取样部位
除在桥形......
|