搜索结果: GB/T 41325-2022, GB/T41325-2022, GBT 41325-2022, GBT41325-2022
| 标准编号 | GB/T 41325-2022 (GB/T41325-2022) | | 中文名称 | | | 英文名称 | Low density crystal originated pit polished monocrystalline silicon wafers for integrated circuit | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | H82 | | 字数估计 | 9,976 | | 发布机构 | 国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会 | GB/T 41325-2022
Low density crystal originated pit polished monocrystalline silicon wafers for integrated circuit
ICS 29.045
CCSH82
中华人民共和国国家标准
集成电路用低密度晶体原生凹坑
硅单晶抛光片
integratedcircuit
国 家 市 场 监 督 管 理 总 局
国 家 标 准 化 管 理 委 员 会 发 布
前言
本文件按照GB/T 1.1-2020《标准化工作导则 第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定
起草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。
本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准
化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本文件起草单位:有研半导体硅材料股份公司、山东有研半导体材料有限公司、杭州中欣晶圆半导
体股份有限公司、南京国盛电子有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、浙江金瑞泓科技股
份有限公司、中环领先半导体材料有限公司、浙江海纳半导体有限公司。
本文件主要起草人:孙燕、宁永铎、钟耕杭、李洋、徐新华、骆红、杨素心、李素青、张海英、由佰玲、
潘金平。
集成电路用低密度晶体原生凹坑
硅单晶抛光片
1 范围
本文件规定了低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片(以下简称Low-COP抛光片)的技术要求、试验
方法、检验规则、包装、标志、运输、贮存、随行文件及订货单内容。
本文件适用于对晶体原生凹坑敏感的集成电路用直径为200mm和300mm、晶向< 100 >、电阻
率0.1Ω·cm~100Ω·cm的Low-COP抛光片。
2 规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文
件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于
本文件。
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