GB/T 42896-2023 相关标准英文版PDF

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GB/T 42896-2023	英文版	269	GB/T 42896-2023	[PDF]天数 <=3	微机电系统（MEMS）技术硅基MEMS纳尺度结构冲击试验方法	GB/T 42896-2023	有效

基本信息
标准编号	GB/T 42896-2023 (GB/T42896-2023)
中文名称	微机电系统（MEMS）技术硅基MEMS纳尺度结构冲击试验方法
英文名称	Micro-electromechanical systems(MEMS) technology - Impact test method for nanostructures of silicon based MEMS
行业	国家标准 (推荐)
中标分类	L59
国际标准分类	31.200
字数估计	14,131
发布日期	2023-08-06
实施日期	2023-12-01
发布机构	国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会

GB/T 42896-2023: 微机电系统（MEMS）技术硅基MEMS纳尺度结构冲击试验方法 ICS 31.200 CCSL59 中华人民共和国国家标准微机电系统(MEMS)技术硅基 MEMS纳尺度结构冲击试验方法 2023-08-06发布 2023-12-01实施国家市场监督管理总局国家标准化管理委员会发布目次前言 Ⅲ 1 范围 1 2 规范性引用文件 1 3 术语和定义 1 4 要求 2 5 试验方法 4 附录A(资料性) 原位片上冲击试验机尺寸建议 6 附录B(资料性) 原位片上热驱动纳尺度结构冲击试验机测试实例 7 前言本文件按照GB/T 1.1-2020《标准化工作导则第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。本文件由全国微机电技术标准化技术委员会(SAC/TC336)提出并归口。本文件起草单位:北京大学、中机生产力促进中心有限公司、中国电子技术标准化研究院、北京燕东微电子科技有限公司、宁波芯健半导体有限公司、深圳市美思先端电子有限公司、上海临港新片区跨境数据科技有限公司、广州奥松电子股份有限公司。本文件主要起草人:张大成、杨芳、李根梓、顾枫、刘鹏、王旭峰、李凤阳、高程武、于志恒、陈艺、华璇卿、刘若冰、张彦秀、罗书明、武斌、张启心、张宾。微机电系统(MEMS)技术硅基 MEMS纳尺度结构冲击试验方法 1 范围本文件描述了硅基 MEMS制造技术中所涉及的纳尺度膜结构沿厚度方向冲击试验的要求和试验方法。本文件适用于采用微电子工艺制造的纳尺度结构在一次冲击负荷作用下的耐冲击性能的测试。 2 规范性引用文件下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。 GB/T 2900.28 电工术语电动工具 GB/T 26111 微机电系统(MEMS)技术术语 GB/T 36416.1 试验机词汇第1部分:材料试验机 3 术语和定义 GB/T 2900.28、GB/T 26111和GB/T 36416.1界定的以及下列术语和定义适用于本文件。 3.1 硅加工工艺 siliconprocess 硅微加工技术。注:虽然硅工艺一般分为表面微加工和体硅微加工,但其中的许多技术是相同的。 [来源:GB/T 26111-2010,3.5.2] 3.2 原位片上冲击试验机 insituon-chipimpacttester 由测试结构和测试装置组成,并将二者集成在同一晶圆上采用同一工艺流程加工形成的用于评估工艺相关微纳结构抗冲击性能的试验机。 3.3 测试结构 testingstructure 为了测量材料性能或微结构的性能专门制作的微纳结构(例如,悬臂梁或者是固定梁)。注:本文件中为双端......

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