搜索结果: GB/T 44529-2024, GB/T44529-2024, GBT 44529-2024, GBT44529-2024
| 标准编号 | GB/T 44529-2024 (GB/T44529-2024) | | 中文名称 | 微机电系统（MEMS）技术 射频MEMS环行器和隔离器 | | 英文名称 | Micro-electromechanical system(MEMS)technology - Radio frequency MEMS circulators and isolators | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | L59 | | 国际标准分类 | 31.080.99 | | 字数估计 | 30,310 | | 发布日期 | 2024-09-29 | | 实施日期 | 2024-09-29 | | 发布机构 | 国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会 | GB/T 44529-2024: 微机电系统（MEMS）技术 射频MEMS环行器和隔离器
ICS 31.080.99
CCSL59
中华人民共和国国家标准
微机电系统(MEMS)技术
射频 MEMS环行器和隔离器
2024-09-29发布
2024-09-29实施
国 家 市 场 监 督 管 理 总 局
国 家 标 准 化 管 理 委 员 会 发 布
目次
前言 Ⅲ
1 范围 1
2 规范性引用文件 1
3 术语和定义 1
3.1 通用术语 1
3.2 射频特性 2
4 基本额定值和特性 2
4.1 标识和类型说明 2
4.2 应用和规格说明 3
4.3 极限值和工作条件 3
4.4 射频特性 4
4.5 可靠性 4
4.6 附加信息 4
5 测量方法 5
5.1 通则 5
5.2 插入损耗(Lins) 6
5.3 隔离度(Liso) 10
5.4 回波损耗(Lret) 12
5.5 电压驻波比(VSWR)(可选项) 14
5.6 输入阻抗(Zin)(可选项) 16
5.7 磁泄漏(可选项) 18
6 可靠性(性能)试验 19
6.1 概述 19
6.2 功率容量 19
6.3 寿命 19
6.4 温度循环 20
6.5 冲击试验 20
6.6 振动试验 20
6.7 键合强度或可焊性试验 20
附录A(资料性) 环行器和隔离器简介 21
参考文献 24
前言
本文件按照GB/T 1.1-2020《标准化工作导则 第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定
起草。
本文件等同采用IEC 62047-41:2021《半导体器件 微机电器件 第41部分:射频 MEMS环行器
和隔离器》。
本文件做了下列最小限度的编辑性改动:
---为与现有标准协调,将标准名称改为《微机电系统(MEMS)技术 射频 MEMS环行器和隔
离器》;
---在图1、图2、图3、图4、图5、图6、图7、5.2.5、5.3.5、5.4.5、图A.1、图A.2中增加了注;
---公式(1)~公式(12)中增加了符号说明;
---为符合中文习惯,将表2中的中心频率的符号“fcenter”修改为“f0”,将6.7的标题“键合强度/焊
接强度试验”更改为“键合强度或可焊性试验”,表3中“键合/焊接强度试验”改为“键合强度或
可焊性”;
---更正了原文的错误,将表3中“键合强度或可焊性”分别给出相应特性值。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。
本文件由全国微机电技术标准化技术委员会(SAC/TC336)提出并归口。
本文件起草单位:河北美泰电子科技有限公司、安徽天兵电子科技股份有限公司、中国电子科技集
团公司第十三研究所、中机生产力促进中心有限公司、广东大普通信技术股份有限公司、西安现代控制
技术研究所、深圳市诺信博通讯有限公司、深圳市美思先端电子有限公司。
本文件主要起草人:侯凯强、张东响、李倩、李根梓、王伟强、吝海锋、李丽霞、翟晓飞、梁彦青、
姚世婷、周明琴、王春明、王昆伦、刘奎、屈锟、陈杜、武斌。
微机电系统(MEMS)技术
射频 MEMS环行器和隔离器
1 范围
本文件规定了射频 MEMS环行器和隔离器的术语、基本额定值和特性以及测量方法。
2 规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文
件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于
本文件。
注:GB/T 17573-1998 半导体器件 分立器件和集成电路 第1部分:总则(IEC 60747-1:1983,IDT)
IEC 60749-10 半导体器件 机械和气候试验方法 第10部分:机械冲击(Semiconductor
IEC 60749-12 半导体器件 机械和气候试验方法 第12部分:扫频振动(Semiconductor
注:GB/T 4937.12-2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第12部分:扫频振动(IEC 60749-12:2002,IDT)
注:GB/T 4937.21-2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第21部分:可焊性(IEC 60749-21:2011,IDT)
IEC 60749-22 半导体器件 机械和气候试验方法 第22部分:键合强度(Semiconductor
注:GB/T 4937.22-2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第22部分:键合强度(IEC 60749-22:2002,IDT)
IEC TS61967-3 集成电路 电磁发射测量 第3部分:辐射发射测量 表面扫描法(Integrat......
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