搜索结果: GB/T 45722-2025, GB/T45722-2025, GBT 45722-2025, GBT45722-2025
| 标准编号 | GB/T 45722-2025 (GB/T45722-2025) | | 中文名称 | 半导体器件 恒流电迁移试验 | | 英文名称 | Semiconductor devices - Constant current electromigration test | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | L40 | | 国际标准分类 | 31.080.01 | | 字数估计 | 14,184 | | 发布日期 | 2025-05-30 | | 实施日期 | 2025-09-01 | | 发布机构 | 国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会 | GB/T 45722-2025: 半导体器件 恒流电迁移试验
ICS 31.080.01
CCSL40
中华人民共和国国家标准
半导体器件 恒流电迁移试验
(IEC 62415:2010,IDT)
2025-05-30发布
2025-09-01实施
国 家 市 场 监 督 管 理 总 局
国 家 标 准 化 管 理 委 员 会 发 布
目次
前言 Ⅲ
1 范围 1
2 规范性引用文件 1
3 术语、定义和符号 1
4 背景 2
5 样本量 2
6 测试结构 2
7 试验条件 3
8 失效判据 3
9 数据分析 3
参考文献 6
前言
本文件按照GB/T 1.1-2020《标准化工作导则 第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定
起草。
本文件等同采用IEC 62415:2010《半导体器件 恒流电迁移试验》。
本文件增加了“规范性引用文件”一章。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。
本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出。
本文件由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC78)归口。
本文件起草单位:工业和信息化部电子第五研究所、西安电子科技大学、中国电子科技集团公司第
十三研究所、深圳市威兆半导体股份有限公司、深圳市诚芯微科技股份有限公司、广东工业大学、中绍宣
标准科技集团有限公司、深圳市天成照明有限公司。
本文件主要起草人:章晓文、林晓玲、游海龙、周斌、尹丽晶、贺致远、来萍、张战刚、雷登云、王铁羊、
孟苓辉、陈义强、彭浩、李伟聪、曹建林、崔从俊、林坚耿。
半导体器件 恒流电迁移试验
1 范围
本文件描述了金属互连线、连接通孔链和接触孔链的常规恒流电迁移试验方法。
2 规范性引用文件
本文件没有规范性引用文件。
3 术语、定义和符号
3.1 符号
下列符号适用于本文件。
3.1.1
通孔中的电流密度 Jvia_use
实际产品的通孔中允许流过的最大电流密度。
3.1.2
金属互连线中的电流密度 Jline_use
实际产品的金属互连线中允许流动的最大电流密度。
3.1.3
试验时通孔中的电流密度 Jvia_test
电迁移试验过程中通孔测试结构中的电流密度。
3.1.4
试验时金属互连线中的电流密度 Jline_test
电迁移试验过程中金属互连线测试结构中的电流密度。
3.1.5
失效时间 t(x%)
累计失效概率为x%的失效时间。
注:t(50%)的计算方法见第9章。
3.2 术语和定义
下列术语和定义适用于本文件。
3.2.1
测试结构 TEG
用于电迁移试验的金属互连线、通孔链和接触孔链的不同测试结......
|