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| 标准编号 | GB/T 5238-2019 (GB/T5238-2019) | | 中文名称 | 锗单晶和锗单晶片 | | 英文名称 | Monocrystalline germanium and monocrystalline germanium slices | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | H82 | | 国际标准分类 | 29.045 | | 字数估计 | 10,197 | | 发布日期 | 2019-06-04 | | 实施日期 | 2020-05-01 | | 发布机构 | 国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会 | GB/T 5238-2019
Monocrystalline germanium and monocrystalline germanium slices
ICS 29.045
H82
中华人民共和国国家标准
代替GB/T 5238-2009
锗单晶和锗单晶片
2019-06-04发布
2020-05-01实施
国 家 市 场 监 督 管 理 总 局
中国国家标准化管理委员会 发 布
前言
本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
本标准代替GB/T 5238-2009《锗单晶和锗单晶片》。与GB/T 5238-2009相比,除编辑性修改外
主要技术变化如下:
---修订了标准适用范围,将“外延衬底”改为“红外光学部件”(见第1章,2009年版的第1章);
---规范性引用文件中删除了 GB/T 1552、GB/T 5254,增加了 GB/T 1555、GB/T 14264、
GB/T 14844、GB/T 26074(见第2章,2009年版的第2章);
---增加了术语和定义(见第3章);
---修订了牌号表示方法(见4.1,2009年版的3.2);
---增加了非掺杂锗单晶的要求(见第4章);
---断面电阻率不均匀度改为径向电阻率变化,并修订了其要求(见4.2.3,2009年版的3.3.1.1);
---修订了电阻率小于1.0Ω·cm锗单晶的少数载流子寿命要求(见4.2.4,2009年版的3.3.1.2);
---修订了锗单晶晶体完整性的要求(见4.2.6.1,2009年版的3.3.1.4);
---修订了直径10mm~100mm锗单晶的直径相对允许偏差的要求(见4.2.7,2009年版的3.3.2.1);
---增加了直径大于100mm锗单晶的要求(见4.2.7);
---删除了长度的要求(见2009年版的3.3.2.1);
---增加了锗单晶表面质量的要求(见4.2.8);
---修订了锗单晶片几何参数的要求(见4.3.2,2009年版的3.3.2.2);
---修订了锗单晶片表面质量的要求(见4.3.3,2009年版的3.3.3);
---修订了组批、检验项目、取样及检验结果的判定(见第6章,2009年版的第5章)。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准
化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本标准起草单位:中锗科技有限公司、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、广东先导稀材股份有限公
司、有色金属技术经济研究院、北京合能阳光新能源技术有限公司。
本标准主要起草人:柯尊斌、刘新军、惠峰、朱刘、尹士平、杨素心、肖宗镛。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
---GB/T 5238-1985、GB/T 5238-1995、GB/T 5238-2009;
---GB/T 15713-1995。
锗单晶和锗单晶片
1 范围
本标准规定了锗单晶和锗单晶片的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书
及订货单(或合同)内容。
本标准适用于制备半导体器件、激光器组件、红外光学部件用的锗单晶和锗单晶片。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T 1553 硅和锗体内少数载流子寿命测定 光电导衰减法
GB/T 1555 半导体单晶晶向测定方法
GB/T 2828.1-2012 计数抽样检验程序 第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样
计划
GB/T 5252 锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法
GB/T 14264 半导体材料术语
GB/T 14844 半导体材料牌号表示方法
GB/T 26074 锗单晶电阻率直流四探针测量方法
3 术语和定义
GB/T 14264界定的术语和定义适用于本文件。
4 要求
4.1 牌号
锗单晶和锗单晶片......
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