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| 标准编号 | GB/T 6620-2009 (GB/T6620-2009) | | 中文名称 | 硅片翘曲度非接触式测试方法 | | 英文名称 | Test method for measuring warp on silicon slices by noncontact scanning | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | H82 | | 国际标准分类 | 29.045 | | 字数估计 | 10,137 | | 发布日期 | 2009-10-30 | | 实施日期 | 2010-06-01 | | 旧标准 (被替代) | GB/T 6620-1995 | | 引用标准 | GB/T 2828.1; GB/T 6618; GB/T 14264 | | 采用标准 | SEMI MF657-0705, MOD | | 标准依据 | 国家标准批准发布公告2009年第12号(总第152号) | | 发布机构 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 | | 范围 | 本标准规定了硅单晶切割片、研磨片、抛光片(以下简称硅片)翘曲度的非接触式测试方法。本标准适用于测量直径大于50 m m, 厚度大于180 μm的圆形硅片。本标准也适用于测量其他半导体画片的翘曲度。本测试方法的目的是用于来料验收或过程控制。本测试方法也适用于监视器件加工过程中硅片翘曲度的热化学效应。 | GB/T 6620-2009
Test method for measuring warp on silicon slices by noncontact scanning
ICS ２９．０４５
H８２
中华人民共和国国家标准
GB/T ６６２０-２００９
代替GB/T ６６２０-１９９５
硅片翘曲度非接触式测试方法
２００９-１０-３０发布
２０１０-０６-０１实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会发布
前言
本标准修改采用ＳＥＭＩＭＦ６５７-０７０５《硅片翘曲度和总厚度变化非接触式测试方法》。
本标准与ＳＥＭＩＭＦ６５７-０７０５相比，主要有如下变化：
---本标准没有采用ＳＥＭＩ标准中总厚度变化测试部分内容；
---本标准测试硅片厚度范围比ＳＥＭＩ标准中要窄；
---本标准编制格式按GB/T １．１规定。
本标准代替GB/T ６６２０-１９９５《硅片翘曲度非接触式测试方法》。
本标准与GB/T ６６２０-１９９５相比，主要有如下变动：
---修改了测试硅片厚度范围；
---增加了引用文件、术语、意义和用途、干扰因素和测量环境条件等章节；
---修改了仪器校准部分内容；
---增加了仲裁测量；
---删除了总厚度变化的计算；
---增加了对仲裁翘曲度平均值和标准偏差的计算。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准起草单位：洛阳单晶硅有限责任公司，万向硅峰电子股份有限公司。
本标准主要起草人：张静雯、蒋建国、田素霞、刘玉芹、楼春兰。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为：
---GB ６６２０-１９８６、GB/T ６６２０-１９９５。
GB/T ６６２０-２００９
硅片翘曲度非接触式测试方法
１ 范围
本标准规定了硅单晶切割片、研磨片、抛光片（以下简称硅片）翘曲度的非接触式测试方法。
本标准适用于测量直径大于５０ｍｍ，厚度大于１８０μｍ的圆形硅片。本标准也适用于测量其他半
导体圆片的翘曲度。本测试方法的目的是用于来料验收或过程控制。本测试方法也适用于监视器件加
工过程中硅片翘曲度的热化学效应。
２ 规范性引用文件
下列文件中的条款通过本标准的引用而构成本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有
的修订单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究
是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注明日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。
GB/T ２８２８．１ 计数抽样检验程序 第１部分：按接收质量限（ＡＱＬ）检索的逐批检验抽样计划
（GB/T ２８２８．１-２００３，ISO ２８５９-１：１９９９，ＩＤＴ）
GB/T ６６１８ 硅片厚度和总厚度变化测试方法
GB/T １４２６４ 半导体材料术语
３ 术语和定义
由GB/T １４２６４确立的及以下半导体材料术语和定义适用于本标准。
３．１
与晶片的正表面和背表面等距离点的轨迹。
３．２
在质量合格区内，一个自由的，无夹持的硅片中位面相对参照平面的最大和最小距离之差。
４ 方法提要
硅片置于基准环的３个支点上，３个支点形成一基准平面。测试仪的一对探头在硅片上、下表面沿
规定的路径同步扫描。在扫描过程中，成对地给出上、下探头与硅片最近表面之间的......
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