搜索结果: SJH 20636-1997, SJH20636-1997
| 标准编号 | SJ 20636-1997 (SJ20636-1997) | | 中文名称 | IC用大直径薄硅片的氧、碳含量微区试验方法 | | 英文名称 | Test method for oxygen and carbon contents of large diameter thin silicon wafer in microzone for use in IC | | 行业 | 电子行业标准 | | 中标分类 | H81 | | 字数估计 | 9,923 | | 发布日期 | 6/17/1997 | | 实施日期 | 10/1/1997 | | 引用标准 | GB 1558-83; GB/T 14143-93 | | 范围 | 本标准规定了厚度为O.3～2.0mm的硅晶片中间隙氧含量微区径向分布和替位碳含量微区测量方法。本标准通用于室温电阻率在大于0.1Ωcm的硅晶片中间隙氧含最微区径向分布和替位碳含量微区测定。测量范围, 对于间隙氧含量为3.0×10^(16)at.cm^(-3)至间隙氧在硅中最大固溶度; 对于替位碳含最为5.0×10^(15)at.cm^(-3)至替位碳在硅中最大固溶度。 | ......
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