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SJ/T 2658.3-2015 相关标准英文版PDF

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SJ/T 2658.3-2015 英文版 139 SJ/T 2658.3-2015 [PDF]天数 <=3 半导体红外发射二极管测量方法 第3部分:反向电压和反向电流 SJ/T 2658.3-2015 有效
SJ 2658.3-1986 英文版 199 SJ 2658.3-1986 [PDF]天数 <=3 半导体红外发光二极管测试方法.反向电压测试方法 SJ 2658.3-1986 作废
基本信息
标准编号 SJ/T 2658.3-2015 (SJ/T2658.3-2015)
中文名称 半导体红外发射二极管测量方法 第3部分:反向电压和反向电流
英文名称 Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode - Part 3: Reverse voltage and reverse current
行业 电子行业标准 (推荐)
中标分类 L53
国际标准分类 31.080
字数估计 6,62
发布日期 2015-10-10
实施日期 2016-04-01
旧标准 (被替代) SJ 2658.3-1986
引用标准 GB/T 15651-1995; SJ/T 2658.1
标准依据 PRC MIIT Announcement 2015 No.63
发布机构 工业和信息化部
范围 本部分规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)反向电压和反向电流的测量原理图、测量步骤以及规定条件。本部分适用于半导体红外发射二极管。

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英文网页English: SJ/T 2658.3-2015

相关标准: SAMR 75 | SJ/T 2658.14 | SJ/T 2658.11 | SJ/T 2658.10 |