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收录标准: 222414 (2026-05-15)
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SJ/T
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第35页
> SJ/T 2658.3-2015
[PDF] SJ/T 2658.3-2015 - 英文版
标准号码
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标准名称
状态
SJ/T 2658.3-2015
英文版
139
SJ/T 2658.3-2015
[PDF]天数 >=3
半导体红外发射二极管测量方法 第3部分:反向电压和反向电流
有效
基本信息
标准编号
SJ/T 2658.3-2015 (SJ/T2658.3-2015)
中文名称
半导体红外发射二极管测量方法 第3部分:反向电压和反向电流
英文名称
Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode - Part 3: Reverse voltage and reverse current
行业
电子行业标准 (推荐)
中标分类
L53
国际标准分类
31.080
字数估计
6,62
发布日期
2015-10-10
实施日期
2016-04-01
旧标准 (被替代)
SJ 2658.3-1986
引用标准
GB/T 15651-1995; SJ/T 2658.1
标准依据
PRC MIIT Announcement 2015 No.63
发布机构
工业和信息化部
范围
本部分规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)反向电压和反向电流的测量原理图、测量步骤以及规定条件。本部分适用于半导体红外发射二极管。
......
英文网页English:
SJ/T 2658.3-2015
相关标准:
SAMR 75
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SJ/T 2658.14
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SJ/T 2658.11
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SJ/T 2658.10
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