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| 标准编号 | YS/T 24-2016 (YS/T24-2016) | | 中文名称 | 外延钉缺陷的检验方法 | | 英文名称 | Test methods for spike of epitaxial layers | | 行业 | 有色冶金行业标准 (推荐) | | 中标分类 | H21 | | 国际标准分类 | 29.045 | | 字数估计 | 5,518 | | 发布日期 | 2016-04-05 | | 实施日期 | 2016-09-01 | | 旧标准 (被替代) | YS/T 24-1992 | | 引用标准 | GB/T 14264 | | 标准依据 | The Ministry of Industry and Notice No. 2016 in 2016; the industry standard for the record 2016 No. 6 | | 发布机构 | 工业和信息化部 | | 范围 | 本标准规定了外延钉缺陷的检验方法。本标准适用于判断硅外延片上是否存在高度不小于4μm的钉缺陷。如果钉缺陷数量比较少且彼此不相连，可对钉缺陷进行计数。本标准不能测量钉缺陷的高度。 | YS/T 24-2016
Test methods for spike of epitaxial layers
ICS 77.040
H21
中华人民共和国有色金属行业标准
代替YS/T 24-1992
外延钉缺陷的检验方法
2016-04-05发布
2016-09-01实施
中华人民共和国工业和信息化部 发 布
前言
本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
本标准代替YS/T 24-1992《外延钉缺陷的检验方法》。与YS/T 24-1992相比,本标准主要变化
如下:
---增加了“规范性引用文件”和“术语和定义”;
---增加了“方法2 无损测试”。
本标准由全国有色金属标准化技术委员会(SAC/TC243)提出并归口。
本标准起草单位:南京国盛电子有限公司、有研半导体材料有限公司、上海晶盟硅材料有限公司。
本标准主要起草人:马林宝、杨帆、孙燕、徐新华。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
---YS/T 24-1992。
外延钉缺陷的检验方法
1 范围
本标准规定了外延钉缺陷的检验方法。
本标准适用于判断硅外延片上是否存在高度不小于4 mm的钉缺陷。如果钉缺陷数量比较少且彼
此不相连,可对钉缺陷进行计数。本标准不能测量钉缺陷的高度。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 14264 半导体材料术语
3 术语和定义
GB/T 14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件。
3.1
钉缺陷 spikes
外延生长过程中形成的表面突起物,通常是由于衬底表面颗粒导致外延后的硅突起物。
4 方法1 有损测试
4.1 方法提要
有损测试是将一片聚酯塑料薄膜沿三个不同方向推过试验表面,在两个或两个以上方向碰到的表
面突起物被判定为钉缺陷。
4.2 材料
4.2.1 真空吸片装置或镊子。
4.2.2 聚酯塑料薄膜,厚度为25mm,面积为50mm×50mm。
4.3 测试步骤
4.3.1 用真空吸片装置吸住试样背面,或用镊子夹持住试样,对于仲裁检测,也可将试验外延面朝上置
于......
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