[PDF] SJ/T 11490-2015 - 英文版
| 标准号码 | 美元 | 购买PDF | 工期 | 标准名称(英文版) |
| SJ/T 11490-2015 | 189 | SJ/T 11490-2015 | <=3 | 低位错密度砷化镓抛光片蚀坑密度的测量方法 |
| 基本信息 | |
|---|---|
| 标准编号 | SJ/T 11490-2015 (SJ/T11490-2015) |
| 中文名称 | 低位错密度砷化镓抛光片蚀坑密度的测量方法 |
| 英文名称 | Test method for measuring etch pit density (EPD) in low dislocation density gallium arsenide wafers |
| 行业 | 电子行业标准 (推荐) |
| 中标分类 | H83 |
| 国际标准分类 | 29.045 |
| 字数估计 | 8,884 |
| 发布日期 | 2015-04-30 |
| 实施日期 | 2015-10-01 |
| 引用标准 | GB/T 8760-2006 |
| 标准依据 | 工业和信息化部公告2015年第28号;行业标准备案公告2015年第7号(总第187号) |
| 发布机构 | 工业和信息化部 |
| 范围 | 本标准规定了低位错密度砷化镓(GaAs)抛光片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法。本标准适用于直径2英寸和3英寸且EPD小于5000/cm2的圆形GaAs晶片的EPD的测量。 |
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