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[PDF] SJ/T 11489-2015 - 英文版

标准搜索结果: 'SJ/T 11489-2015'
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SJ/T 11489-2015 英文版 189 SJ/T 11489-2015 [PDF]天数 <=3 低位错密度磷化铟抛光片蚀坑密度的测量方法 有效

基本信息
标准编号 SJ/T 11489-2015 (SJ/T11489-2015)
中文名称 低位错密度磷化铟抛光片蚀坑密度的测量方法
英文名称 Test method for measuring etch pit density (EPD) in low dislocation density indium phosphide wafers
行业 电子行业标准 (推荐)
中标分类 H83
国际标准分类 29.049
字数估计 8,871
发布日期 2015-04-30
实施日期 2015-10-01
引用标准 GB/T 14264
标准依据 工业和信息化部公告2015年第28号;行业标准备案公告2015年第7号(总第187号)
发布机构 工业和信息化部
范围 本标准规定了低位错密度磷化铟(InP)抛光片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法。本标准适用于直径2英寸且EPD小于5000/cm2的圆形InP晶片的EPD的测量。

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相关标准: GB/T 12963  SJ/T 11490  SJ/T 11487  GB/T 12963