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收录标准: 222414 (2026-05-15)
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SJ/T
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第35页
> SJ/T 2658.13-2015
[PDF] SJ/T 2658.13-2015 - 英文版
标准号码
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标准名称
状态
SJ/T 2658.13-2015
英文版
149
SJ/T 2658.13-2015
[PDF]天数 >=3
半导体红外发射二极管测量方法 第13部分:辐射功率温度系数
有效
基本信息
标准编号
SJ/T 2658.13-2015 (SJ/T2658.13-2015)
中文名称
半导体红外发射二极管测量方法 第13部分:辐射功率温度系数
英文名称
Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode. Part 13: Temperature coefficient for radiant power
行业
电子行业标准 (推荐)
中标分类
L53
国际标准分类
31.08
字数估计
5,535
发布日期
2015-10-10
实施日期
2016-04-01
旧标准 (被替代)
SJ 2658.13-1986
引用标准
SJ/T 2658.1; SJ/T 2658.6
标准依据
中华人民共和国工业和信息化部公告 2015年 第63号;行业标准备案公告2015年第12号(总第192号)
发布机构
工业和信息化部
范围
本部分规定了半导体红外发射二极管辐射功率温度系数的测量原理图、测量步骤以及规定条件。本部分适用于半导体红外发射二极管。
......
英文网页English:
SJ/T 2658.13-2015
相关标准:
SAMR 75
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SJ/T 2658.15
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SJ/T 2658.16
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SJ/T 2658.14
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