SJ/T 2658.13-2015 相关标准英文版PDF

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标准号码	内文	价格美元	第2步(购买)	交付天数	标准名称	详情	状态
SJ/T 2658.13-2015	英文版	149	SJ/T 2658.13-2015	[PDF]天数 <=3	半导体红外发射二极管测量方法第13部分：辐射功率温度系数	SJ/T 2658.13-2015	有效
SJ 2658.13-1986	英文版	199	SJ 2658.13-1986	[PDF]天数 <=3	半导体红外发光二极管测试方法.输出光功率温度系数的测试方法	SJ 2658.13-1986	作废

基本信息
标准编号	SJ/T 2658.13-2015 (SJ/T2658.13-2015)
中文名称	半导体红外发射二极管测量方法第13部分：辐射功率温度系数
英文名称	Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode. Part 13: Temperature coefficient for radiant power
行业	电子行业标准 (推荐)
中标分类	L53
国际标准分类	31.08
字数估计	5,535
发布日期	2015-10-10
实施日期	2016-04-01
旧标准 (被替代)	SJ 2658.13-1986
引用标准	SJ/T 2658.1; SJ/T 2658.6
标准依据	中华人民共和国工业和信息化部公告 2015年第63号;行业标准备案公告2015年第12号(总第192号)
发布机构	工业和信息化部
范围	本部分规定了半导体红外发射二极管辐射功率温度系数的测量原理图、测量步骤以及规定条件。本部分适用于半导体红外发射二极管。

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