标准搜索结果: 'SJ/T 11490-2015'
| 标准编号 | SJ/T 11490-2015 (SJ/T11490-2015) | | 中文名称 | 低位错密度砷化镓抛光片蚀坑密度的测量方法 | | 英文名称 | Test method for measuring etch pit density (EPD) in low dislocation density gallium arsenide wafers | | 行业 | 电子行业标准 (推荐) | | 中标分类 | H83 | | 国际标准分类 | 29.045 | | 字数估计 | 8,884 | | 发布日期 | 2015-04-30 | | 实施日期 | 2015-10-01 | | 引用标准 | GB/T 8760-2006 | | 标准依据 | 工业和信息化部公告2015年第28号;行业标准备案公告2015年第7号(总第187号) | | 发布机构 | 工业和信息化部 | | 范围 | 本标准规定了低位错密度砷化镓(GaAs)抛光片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法。本标准适用于直径2英寸和3英寸且EPD小于5000/cm2的圆形GaAs晶片的EPD的测量。 | ......
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