| 标准编号 | SJ/T 11498-2015 (SJ/T11498-2015) |
| 中文名称 | 重掺硅衬底中氧浓度的二次离子质谱测量方法 |
| 英文名称 | Test method for measuring oxygen contamination in heavily doped silicon substrates by secondary ion mass spectrometry |
| 行业 | 电子行业标准 (推荐) |
| 中标分类 | H82 |
| 国际标准分类 | 29.045 |
| 字数估计 | 12,189 |
| 发布日期 | 2015-04-30 |
| 实施日期 | 2015-10-01 |
| 引用标准 | GB/T 24580-2009 |
| 标准依据 | 工业和信息化部公告2015年第28号;行业标准备案公告2015年第7号(总第187号) |
| 发布机构 | 工业和信息化部 |
| 范围 | 本标准规定了用二次离子质谱法(SINS)对重掺硅衬底单晶体中氧浓度总量的测试方法。本标准适用于硼、锑、砷、磷的掺杂浓度＜0.2%(1×1020at·cm-3)的硅材料。特别适用于电阻率在0.0012Ω·cm～1.0Ω·cm的p型硅材料和电阻率在0.008Ω· cm～0.2Ω·cm的ｎ型硅材料。 |