SJ/T 2658.12-2015 相关标准英文版PDF
| 标准号码 | 价格美元 | 第2步(购买) | 交付天数 | 标准名称 |
| SJ/T 2658.12-2015 | 139 | SJ/T 2658.12-2015 | [PDF]天数 <=3 | 半导体红外发射二极管测量方法 第12部分：峰值发射波长和光谱辐射带宽 |
| SJ 2658.12-1986 | 199 | SJ 2658.12-1986 | [PDF]天数 <=3 | 半导体红外发光二极管测试方法.峰值发射波长和光谱半宽度的测试方法 |
| 基本信息 | |
|---|---|
| 标准编号 | SJ/T 2658.12-2015 (SJ/T2658.12-2015) |
| 中文名称 | 半导体红外发射二极管测量方法 第12部分：峰值发射波长和光谱辐射带宽 |
| 英文名称 | Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode. Part 12: Peak-emission wavelength and spectral radiant bandwidth |
| 行业 | 电子行业标准 (推荐) |
| 中标分类 | L53 |
| 国际标准分类 | 31.08 |
| 字数估计 | 6,690 |
| 发布日期 | 2015-10-10 |
| 实施日期 | 2016-04-01 |
| 旧标准 (被替代) | SJ 2658.12-1986 |
| 引用标准 | SJ/T 2658.1 |
| 标准依据 | 中华人民共和国工业和信息化部公告 2015年 第63号;行业标准备案公告2015年第12号(总第192号) |
| 发布机构 | 工业和信息化部 |
| 范围 | 本部分规定了半导体红外发射二极管峰值发射波长和光谱辐射带宽的测量原理图、测量步骤以及规定条件。本部分适用于半导体红外发射二极管。 |
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