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| 标准编号 | GB/T 14146-2021 (GB/T14146-2021) | | 中文名称 | | | 英文名称 | Test method for carrier concentration of silicon epitaxial layers - Capacitance-voltage method | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | H21 | | 字数估计 | 14,154 | | 发布机构 | 国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会 | GB/T 14146-2021
Test method for carrier concentration of silicon epitaxial layers - Capacitance-voltage method
ICS 77.040
CCSH21
中华人民共和国国家标准
代替GB/T 14146-2009
硅外延层载流子浓度的测试
电容-电压法
2021-05-21发布
2021-12-01实施
国 家 市 场 监 督 管 理 总 局
国 家 标 准 化 管 理 委 员 会 发 布
前言
本文件按照GB/T 1.1-2020《标准化工作导则 第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定
起草。
本文件代替 GB/T 14146-2009《硅外延层载流 子 浓 度 测 定 汞 探 针 电 容-电 压 法》,与
GB/T 14146-2009相比,除结构调整和编辑性改动外,主要技术变化如下:
a) 更改了本文件的范围,包括规定的内容和适用范围(见第1章,2009年版的第1章);
b) 删除了规范性引用文件中的GB/T 1552,增加了GB/T 1551、GB/T 6624、GB/T 14264(见第2
章,2009年版的第2章);
c) 增加了术语和定义(见第3章);
d) 更改了试验条件的要求(见第4章,2009年版的6.2);
e) 删除了汞探针电容-电压法原理中的公式,更改了原理的表述(见5.1,2009年版的第3章);
f) 增加了样品制备、测试仪器操作、测试机台维护后的汞探针调试对测试结果影响的干扰因素
(见5.2.1);
g) 更改了样品表面、汞、装汞毛细管对测试结果的影响(见5.2.2、5.2.3、5.2.4,2009年版的4.1);
h) 增加了确定补偿电容用标准样片厚度对测试结果的影响(见5.2.7);
i) 增加了补偿电容归零调整或数值确定、电容测量电路串联电阻、校准仪器用质量监控片对测试
结果的影响(见5.2.8、5.2.9、5.2.10);
j) 更改了“试剂”中去离子水、氮气的要求(见5.3.4、5.3.5,2009年版的5.3、5.5);
k) 增加了“试剂”中压缩空气的要求(见5.3.6);
l) 更改了电容仪的要求[见5.4.1c),2009年版的6.1.2、6.1.3];
m) 更改了汞探针电容-电压测试仪器中数字伏特计的要求[见5.4.1d),2009年版的6.1.3];
n) 增加了甩干设备、烘干设备、密闭烘烤腔的要求(见5.4.2、5.4.3、5.4.4);
o) 增加了样品处理后表面目检应光亮洁净的要求(见5.5.1),更改了样品的化学试剂处理步骤
(见5.5.2,2009年版的7.1~7.4),增加了采用非破坏性方法对样品进行钝化处理的步骤(见
5.5.3);
p) 删除了“仪器校准”中低电阻电极的制备(见2009年版的8.4),“试验步骤”中增加了对应内容
(见5.7.2);
q) 增加了“试验数据处理”(见5.8);
r) 更改了“精密度”(见5.9);
s) 增加了无接触电容-电压法测试载流子浓度的方法(见第6章);
t) 更改了试验报告的内容(见第7章,2009年版的第11章)。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。
本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准
化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本文件起草单位:南京国盛电子有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、中电晶华
(天津)半导体材料有限公司、有研半导体材料有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、浙江金瑞
泓科技股份有限公司、瑟米莱伯贸易(上海)有限公司、无锡华润上华科技有限公司、义乌力迈新材料
有限公司。
本文件主要起草人:骆红、潘文宾、杨素心、赵扬、赵而敬、张佳磊、李慎重、黄黎、严琴、黄宇程、
皮坤林。
本文件于1993年首次发布,2009年第一次修订,本次为第二次修订。
硅外延层载流子浓度的测试
电容-电压法
1 范围
本文件规定了电容-电压法测试硅外延层载流子浓度的方法,包括汞探针电容-电压法和无接触电
容-电压法。
本文件适用于同质硅外延层载流子浓度的测试,测试范围为4×1013cm-3~8×1016cm-3,其中硅
外延层的厚度大于测试偏压下耗尽层深度的两倍。硅单晶抛光片和同质碳化硅外延片载流子浓度的测
试也可以参照本文件进行,其中无接触电容-电压法不适用于同质碳化硅外延片载流子浓度的测试。
2 规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文
件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于
本文件。
GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T 1551 硅单晶电阻率的测定 直排回探针法和直流两探针法
GB/T 6624 硅抛光片表面质量目测检验方法
GB/T 14264 半导体材料术语
GB/T 14847 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
3 术语和定义
GB/T 14264界定的术语和定义适用于本文件。
4 试验条件
4.1 环境温度:22℃±3℃,温度波动小于±2℃。
4.2 环境湿度:30%~50%。
4.......
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