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| 标准编号 | GB/T 1550-2018 (GB/T1550-2018) | | 中文名称 | 非本征半导体材料导电类型测试方法 | | 英文名称 | Test methods for conductivity type of extrinsic semiconducting materials | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | H21 | | 国际标准分类 | 77.040 | | 字数估计 | 14,189 | | 发布日期 | 2018-12-28 | | 实施日期 | 2019-11-01 | | 旧标准 (被替代) | GB/T 1550-1997 | | 发布机构 | 国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会 | GB/T 1550-2018
Test methods for conductivity type of extrinsic semiconducting materials
ICS 77.040
H21
中华人民共和国国家标准
代替GB/T 1550-1997
非本征半导体材料导电类型测试方法
2018-12-28发布
2019-11-01实施
国 家 市 场 监 督 管 理 总 局
中国国家标准化管理委员会 发 布
前言
本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
本标准代替GB/T 1550-1997《非本征半导体材料导电类型测试方法》,与GB/T 1550-1997相比
主要技术变化如下:
---适用范围修改为“本标准适用于硅、锗非本征半导体材料导电类型的测试,其他非本征半导体
材料可参照本标准测试”(见第1章,1997年版的第1章);
---增加了术语和定义(见第3章);
---将原标准的1.2~1.9修改为“4.1总则”(见4.1,1997年版的1.2~1.9);
---修改了方法A、方法D1、方法D2的适用范围(见4.1.2、4.1.5、4.1.6,1997年版的1.3、1.6、1.7);
---增加了方法E(表面光电压法)测试导电类型(见4.1.7、4.5、5.5、7.6、9.5);
---增加了“如果采用9.1~9.5的测试步骤能够获得稳定的读数和良好的灵敏度,则表明试样表
面无沾污或氧化层。如果读数不稳定或灵敏度差,则表明试样表面已被沾污或有氧化层,可采
用8.2中的方法对试样表面进行处理。”(见9.6);
---增加了试验结果的分析(见第10章)。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准
化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本标准起草单位:乐山市产品质量监督检验所、中国计量科学研究院、广州市昆德科技有限公司、瑟
米莱伯贸易(上海)有限公司、浙江海纳半导体有限公司、新特能源股份有限公司、江苏中能硅业科技发
展有限公司、峨嵋半导体材料研究所、洛阳中硅高科技有限公司、中锗科技有限公司、云南冶金云芯硅材
股份有限公司、江西赛维LDK太阳能高科技有限公司、北京合能阳光新能源技术有限公司。
本标准主要起草人:梁洪、王莹、赵晓斌、高英、王昕、王飞尧、黄黎、徐红骞、邱艳梅、刘晓霞、杨旭、
张园园、刘新军、徐远志、程小娟、潘金平、肖宗杰。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
---GB 1550-1979、GB/T 1550-1997;
---GB 5256-1985。
非本征半导体材料导电类型测试方法
1 范围
本标准规定了非本征半导体材料导电类型的测试方法。
本标准适用于硅、锗非本征半导体材料导电类型的测试,其他非本征半导体材料可参照本标准测
试。本标准方法能保证对均匀的同一导电类型的材料测得可靠结果;对于导电类型不均匀的材料,可在
其表面上测出不同导电类型区域。
本标准不适用于分层结构材料(如外延片)导电类型的测试。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 1551 硅单晶电阻率测定方法
GB/T 4326 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
GB/T 14264 半导体材料术语
3 术语和定义
GB/T 14264界定的术语和定义适用于本文件。
4 方法提要
4.1 总则
4.1.1 本标准包括五种测试方法:方法A---热探针法;方法B---冷探针法;方法C---点接触整流
法;方法D---全类型法,包括方法D1---全类型整流法,方法D2---全类型热电势法;方法E---表
面光电压法。
4.1.2 方法A:适用于电阻率20Ω·cm以下的N型和P型锗材料及电阻率1000Ω·cm以下的N型
和P型硅材料。
4.1.3 方法B:适用于电阻率20Ω·cm以下的N型和P型锗材料及电阻率1000Ω·cm以下的N型
和P型硅材料。
4.1.4 方法C:适用于电阻率1Ω·cm~1000Ω·cm的N型和P型硅材料。
4.1.5 方法D1:适用于电阻率1Ω·cm~36Ω·cm......
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