[PDF] GB/T 45716-2025 - 英文版
| 标准号码 | 美元 | 购买PDF | 工期 | 标准名称(英文版) |
| GB/T 45716-2025 | 294 | GB/T 45716-2025 | <=3 | 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验 |
| 基本信息 | |
|---|---|
| 标准编号 | GB/T 45716-2025 (GB/T45716-2025) |
| 中文名称 | 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验 |
| 英文名称 | Semiconductor devices - Bias-temperature instability test for metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) |
| 行业 | 国家标准 (推荐) |
| 中标分类 | L40 |
| 国际标准分类 | 31.080.01 |
| 字数估计 | 14,165 |
| 发布日期 | 2025-05-30 |
| 实施日期 | 2025-09-01 |
| 发布机构 | 国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会 |
GB/T 45716-2025: 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验
ICS 31.080.01
CCSL40
中华人民共和国国家标准
半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶
体管(MOSFETs)的偏置温度不稳定性试验
2025-05-30发布
2025-09-01实施
国 家 市 场 监 督 管 理 总 局
国 家 标 准 化 管 理 委 员 会 发 布
目次
前言 Ⅲ
1 范围 1
2 规范性引用文件 1
3 术语和定义 1
4 试验设备 3
4.1 设备 3
4.2 处理要求 3
5 试验样品 3
5.1 样品 3
5.2 封装 4
5.3 防静电保护电路 4
6 程序 4
6.1 初始测量和读取点测量 4
6.2 试验 5
6.3 场 MOSFET试验注意事项 6
6.4 判据 6
附录A(资料性) 晶圆级可靠性试验(WLR试验) 7
A.1 晶圆级可靠性试验(WLR试验)的目的 7
A.2 最终试验时间 7
参考文献 8
前言
本文件按照GB/T 1.1-2020《标准化工作导则 第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定
起草。
本文件等同采用IEC 62373:2006《金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的偏置温度稳
态试验》。
本文件增加了“规范性引用文件”一章。
本文件做了下列最小限度的编辑性改动:
---为与现有标准协调,将标准名称改为《半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOS-
FETs)的偏置温度不稳定性试验》。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。
本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出。
本文件由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC78)归口。
本文件起草单位:工业和信息化部电子第五研究所、河北北芯半导体科技有限公司、上海交通大学、
中科院微电子所、厦门芯阳科技股份有限公司、深圳市威兆半导体股份有限公司、浙江朗德电子科技有
限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所。
本文件主要起草人:恩云飞、高汭、章晓文、来萍、柴智、林晓玲、陈义强、周圣泽、高金环、任鹏鹏、
都安彦、李伟聪、陈磊、冉红雷。
半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管
(MOSFETs)的偏置温度不稳定性试验
1 范围
本文件描述了金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的偏置温度不稳定性(BTI)试验方法。
2 规范性引用文件
本文件没有规范性引用文件。
3 术语和定义
下列术语和定义适用于本文件。
3.1
Vth-ci
漏极-源极电压处于线性区域内或推荐的工作电压典型值时,漏极电流等于0.1乘以栅极宽度(单
位为微米)时的栅极-源极电压。
注:此定义用公式(1)表示。
Vth-ci=VGS (1)
式中:
VGS---在公式(2)条件下的栅极-源极电压。
IDS =0.1×W (2)
式中:
IDS---漏极-源极电流;
W ---栅极宽度,单位为微米(mm)。
漏极-源极电压处于线性区域内或推荐的工作电压典型值。线性区域意味着近似有VDS=0.05V,..,0.1V。
3.2
Vth-ext
漏极-源极电压处于线性区域内或推荐的工作电压典型值时,在IDS-VGS曲线上斜率最大的点处,以
该最大斜率作通过该点的直线且外推至IDS=0时的栅极-源极电压。
注:图1显示了栅极-源极电压(VGS)与漏极-源极电流(IDS)的关系......