GB/T 45716.1-2026 相关标准英文版PDF
| 标准号码 | 价格美元 | 第2步(购买) | 交付天数 | 标准名称 |
| GB/T 45716.1-2026 | RFQ | 询价 | [PDF]天数 <=3 | 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验 第1部分：MOSFETs的快速偏置温度不稳定性试验 |
| GB/T 45716-2025 | 294 | GB/T 45716-2025 | [PDF]天数 <=3 | 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验 |
| 基本信息 | |
|---|---|
| 标准编号 | GB/T 45716.1-2026 (GB/T45716.1-2026) |
| 中文名称 | 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验 第1部分：MOSFETs的快速偏置温度不稳定性试验 |
| 英文名称 | Semiconductor devices - Bias-temperature instability test for metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) - Part 1: Fast bias-temperature instability test for MOSFETs |
| 行业 | 国家标准 (推荐) |
| 中标分类 | L40 |
| 国际标准分类 | 31.080.30 |
| 发布日期 | 2026-04-30 |
| 实施日期 | 2026-11-01 |
| 发布机构 | 国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会 |
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