标准搜索结果: 'SJ/T 11488-2015'
| 标准编号 | SJ/T 11488-2015 (SJ/T11488-2015) | | 中文名称 | 半绝缘砷化镓电阻率、霍尔系数和迁移率测试方法 | | 英文名称 | Test method for measuring resistivity, hall coefficient and determining hall mobility in semi-insulating GaAs single crystals | | 行业 | 电子行业标准 (推荐) | | 中标分类 | H83 | | 国际标准分类 | 29.045 | | 字数估计 | 8,849 | | 发布日期 | 2015-04-30 | | 实施日期 | 2015-10-01 | | 引用标准 | GB/T 4326; GB/T 14264 | | 标准依据 | 工业和信息化部公告2015年第28号;行业标准备案公告2015年第7号(总第187号) | | 发布机构 | 工业和信息化部 | | 范围 | 本标准规定了半绝缘砷化稼单晶电阻率、霍尔系数和霍尔迁移率的测量方法。本标准适用于电阻率在10^4Ω·cm～10^9Ω·cm范围内的半绝缘砷化稼单晶材料电学参数的测量。 | SJ/T 11488-2015: 半绝缘砷化镓电阻率、霍尔系数和迁移率测试方法
SJ/T 11488-2015 英文名称: Test method for measuring resistivity, hall coefficient and determining hall mobility in semi-insulating GaAs single crystals
中华人民共和国电子行业标准
SJ/T 11488-2015
半绝缘碑化嫁电阻率、霍尔系数和迁移率
测试方法
中华人民共和国工业和信息化部 发布
前 言
本标准按照GB/T 1.1—2009制定的规则起草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。
本标准由全国半导体设备与材料标准化技术委员会(SAC/TC203)归口。
本标准起草单位：信息产业专用材料质量监督检验中心、工业和信息化部电子工业标准化研究院、苏州晶瑞化学有限公司、天津中环领先材料技术有限公司。本标准主要起草人：何秀坤、董彦辉、刘兵、李翔、付雪涛。
1 范围
本标准规定了半绝缘砷化镓单晶电阻率、霍尔系数和霍尔迁移率的测量方法。本标准适用于电阻率在10Ωcm~10⁹2cm范围内的半绝缘砷化镓单晶材料电学参数的测量。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 4326非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
GB/T 14264半导体材料术语
3 术语和定义
GB/T 14264界定的术语和定义适用于本文件。
4方法原理
在一矩形半导体薄片上沿X轴方向通以电流I,在Z轴方向上加磁场B,则在垂直于电流和磁场的方向(即Y轴方向)上产生电势差Vn,这一现象称为霍尔效应，V₁称为霍尔电压。产生霍尔效应的原因是形成电流的作定向运动的带电粒子即载流子在磁场中所受到的洛仑兹力作用而产生的，通过霍尔效应可以测定半绝缘砷化镓单晶的电学参数。
5干扰因素
测量温度、欧姆接触电极制备等均会对测量结果产生影响。
6仪器
测量仪器由下列部分组成：
a) 霍尔测试系统。外加磁场强度0.3 T～1.0 T,样品测量范围内磁场均匀性优于1%,输入阻抗低于10³Ω,电流源精度优于1%,温度精度优于0.1℃;
b) 千分尺，准确度土0.01mm;
c) 样品架，避光。
7 环境要求
环境温度为22 C~24℃,相对湿度小于60%,测试屏蔽室应无机械冲击和振动，无电磁干扰。
8 样品制备
8.1 试样切割、研磨和清洗
按GB/T 4326要求进行试样切割、研磨和清洗。
8.2 欧姆接触电极
按GB/T 4326要求，采用In、AuGe/Au或AuGe/Ni合金制备欧姆接触电极。
9 测量程序
按GB/T 4326所规定测量步骤进行测量。
10 计算
10.1 电阻率
10.2 霍尔系数
10.3 霍尔迁移率
11 精密度
在同一实验室，按照本标准，对同一n型半绝缘砷化镓样品进行10次重复性测量，电阻率相对标准偏差(RSD)为3%,迁移率相对标准偏差(RSD)为4%。
12报告......
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