路径: 主页 > GB/T > 第432页 > GB/T 32188-2015 | 标准编号 | GB/T 32188-2015 (GB/T32188-2015) | | 中文名称 | 氮化镓单晶衬底片x射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法 | | 英文名称 | Test method for full width at half maximum of double crystal X-ray rocking curve of GaN single crystal substrate | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | H21 | | 国际标准分类 | 77.040 | | 字数估计 | 8,824 | | 发布日期 | 2015-12-10 | | 实施日期 | 2016-11-01 | | 引用标准 | GB/T 14264 | | 标准依据 | 国家标准公告2015年第38号 | | 发布机构 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 | | 范围 | 本标准规定了利用双晶X射线衍射仪策试氮化镓单晶衬底片摇摆曲线半高宽的方法。本标准适用于化学气相沉积及其他方法生长制备的氮化镓单晶衬底片。 | GB/T 32188-2015
Test method for full width at half maximum of double crystal X-ray rocking curve of GaN single crystal substrate
ICS 77.040
H21
中华人民共和国国家标准
氮化镓单晶衬底片X射线双晶摇摆曲线
半高宽测试方法
2015-12-10发布
2016-11-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会发布
前言
本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准
化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本标准起草单位:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、苏州纳维科技有限公司、中国科学
院物理研究所、北京天科合达蓝光半导体有限公司、丹东新东方晶体仪器有限公司。
本标准主要起草人:邱永鑫、任国强、刘争晖、曾雄辉、王建峰、陈小龙、王文军、郑红军、徐科、
赵松彬。
氮化镓单晶衬底片X射线双晶摇摆曲线
半高宽测试方法
1 范围
本标准规定了利用双晶X射线衍射仪测试氮化镓单晶衬底片摇摆曲线半高宽的方法。
本标准适用于化学气相沉积及其他方法生长制备的氮化镓单晶衬底片。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 14264 半导体材料术语
3 术语和定义
GB/T 14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件。
3.1
衍射平面 thediffractionplane
X射线入射束、衍射束构成的平面。
3.2
摇摆曲线最大强度一半处曲线的宽度。
3.3
χ轴 χaxis
倾斜样品的轴,由样品台表面和衍射平面相交而成。
3.4
χ角 χangle
样品某晶面与样品表面的夹角。
3.5
φ角 φang......
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