GB/T 45718-2025 相关标准英文版PDF
| 标准号码 | 价格美元 | 第2步(购买) | 交付天数 | 标准名称 |
| GB/T 45718-2025 | 374 | GB/T 45718-2025 | [PDF]天数 <=3 | 半导体器件 内部金属层间的时间相关介电击穿（TDDB）试验 |
| 基本信息 | |
|---|---|
| 标准编号 | GB/T 45718-2025 (GB/T45718-2025) |
| 中文名称 | 半导体器件 内部金属层间的时间相关介电击穿（TDDB）试验 |
| 英文名称 | Semiconductor devices - Time-dependent dielectric breakdown (TDDB) test for inter-metal layers |
| 行业 | 国家标准 (推荐) |
| 中标分类 | L40 |
| 国际标准分类 | 31.080.01 |
| 字数估计 | 18,166 |
| 发布日期 | 2025-05-30 |
| 实施日期 | 2025-09-01 |
| 发布机构 | 国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会 |
GB/T 45718-2025: 半导体器件 内部金属层间的时间相关介电击穿（TDDB）试验
ICS 31.080.01
CCSL40
中华人民共和国国家标准
半导体器件 内部金属层间的时间
相关介电击穿(TDDB)试验
(TDDB)testforinter-metallayers
2025-05-30发布
2025-09-01实施
国 家 市 场 监 督 管 理 总 局
国 家 标 准 化 管 理 委 员 会 发 布
目次
前言 Ⅲ
1 范围 1
2 规范性引用文件 1
3 术语和定义 1
4 试验设备 2
5 试验样品 2
5.1 通则 2
5.2 测试结构 2
6 试验程序 4
6.1 概述 4
6.2 预测试 4
6.3 试验条件 4
6.4 失效判据 5
7 寿命时间估算 5
7.1 总则 5
7.2 加速模型 6
7.3 E模型公式 6
7.4 寿命时间估算步骤 6
8 寿命时间与金属层间介质面积的相关性 8
9 说明事项 8
附录A(资料性) 寿命时间估算工程性补充说明 10
A.1 加速因子的典型值 10
A.2 使用威布尔统计绘制数据的过程 10
参考文献 11
前言
本文件按照GB/T 1.1-2020《标准化工作导则 第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定
起草。
本文本件等同采用IEC 62374-1:2010《半导体器件 第1部分:内部金属层间的时间相关介电击
穿(TDDB)试验》。
本文件增加了“规范性引用文件”一章。
本文件做了下列最小限度的编辑性改动:
---为与现有标准协调,将标准名称改为《半导体器件 内部金属层间的时间相关介电击穿
(TDDB)试验》。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。
本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出。
本文件由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC78)归口。
本文件起草单位:工业和信息化部电子第五研究所、吉林华微电子股份有限公司、广东科信电子有
限公司、中国电子科技集团公司第二十四研究所、广东汇芯半导体有限公司、上海交通大学、青岛芯瑞智
能控制有限公司、电子科技大学。
本文件主要起草人:高汭、陈义强、王铁羊、柯佳键、冯宇翔、雷志锋、方文啸、杨晓锋、俞鹏飞、来萍、
常江、罗俊、纪志罡、李治平、宫玉彬。
半导体器件 内部金属层间的时间
相关介电击穿(TDDB)试验
1 范围
本文件描述了半导体器件内部金属层间的时间相关介电击穿(TDDB)的试验方法、测试结构和寿
命时间估算方法。
2 规范性引用文件
本文件没有规范性引用文件。
3 术语和定义
下列术语和定义适用于本文件。
3.1
Ileak
当施加工作电压时,通过金属层间介质层的泄漏电流。
3.2
Ileak-0
施加应力电压前通过金属层间介质层的泄漏电流。
3.3
限制电流 compliancecurrent
电压驱动设备的最大电流。
注:能为特定试验设置合适的Icomp值。
3.4
Imeas
3.5
击穿......