| 标准编号 | GB/T 45719-2025 (GB/T45719-2025) | | 中文名称 | 半导体器件 金属氧化物半导体（MOS） 晶体管的热载流子试验 | | 英文名称 | Semiconductor devices - Hot carrier test on metal-oxide semiconductor (MOS) transistors | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | L40 | | 国际标准分类 | 31.080.01 | | 字数估计 | 14,155 | | 发布日期 | 2025-05-30 | | 实施日期 | 2025-09-01 | | 发布机构 | 国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会 | GB/T 45719-2025: 半导体器件 金属氧化物半导体（MOS） 晶体管的热载流子试验
ICS 31.080.01
CCSL40
中华人民共和国国家标准
半导体器件 金属氧化物半导体(MOS)
晶体管的热载流子试验
transistors
transistors,IDT)
2025-05-30发布
2025-09-01实施
国 家 市 场 监 督 管 理 总 局
国 家 标 准 化 管 理 委 员 会 发 布
目次
前言 Ⅲ
1 范围 1
2 规范性引用文件 1
3 术语和定义 1
4 符号和缩略语 1
5 测试结构 2
6 应力时间 2
7 应力条件 2
8 样本量 3
9 温度 3
10 失效判据 3
11 寿命评估方法 3
12 寿命时间要求 4
13 报告 4
参考文献 6
前言
本文件按照GB/T 1.1-2020《标准化工作导则 第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定
起草。
本文件等同采用IEC 62416:2010《半导体器件 MOS晶体管的热载流子试验》。
本文件增加了“规范性引用文件”和“术语和定义”两章。
本文件做了下列最小限度的编辑性改动:
---为与现有标准协调,将标准名称改为《半导体器件 金属氧化物半导体(MOS) 晶体管的热
载流子试验》。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。
本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出。
本文件由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC78)归口。
本文件起草单位:工业和信息化部电子第五研究所、西安电子科技大学、国防科技大学、河北北芯半
导体科技有限公司、中国电子科技集团公司电子第五十八研究所。
本文件主要起草人:路国光、章晓文、林晓玲、游海龙、杨少华、彭超、肖庆中、韦覃如、来萍、梁斌、
张魁、赵文斌、晋李华。
半导体器件 金属氧化物半导体(MOS)
晶体管的热载流子试验
1 范围
本文件描述了晶圆级的NMOS和PMOS晶体管热载流子试验方法,该试验旨在确定某个CMOS
工艺中的单个晶体管是否满足所需的热载流子注入效应的寿命时间。
2 规范性引用文件
本文件没有规范性引用文件。
3 术语和定义
本文件没有需要界定的术语和定义。
4 符号和缩略语
下列符号和缩略语适用于本文件。
(C)MOS:互补 MOS。
gm(μA/V):MOS晶体管的跨导。
gm,max(μA/V):MOS晶体管的最大跨导。
gm,max(MOST):方形 MOS晶体管的gm,max(L=W)。
Ib(μA):MOS晶体管的衬底电流。
Ids(μA):MOS晶体管的漏-源电流。
Ids,sat(μA):Vgs=Vds=Vds,use_max时的饱和漏源电流;应力作用期间,不改变源极和漏极的条件下测
量得到Ids,sat_forward,当改变源极和漏极的位置的条件下测量得到Ids,sat_reverse。
Ig(nA):MOS晶体管的栅极电流。
L(μm):MOS晶体管的栅极的长度。
L(MOST):方形 MOS晶体管的长度(L=W)。
Leff(μm):MOS晶体管的有效电沟道长度。对于给定的沟道长度L,Leff由大的方形 MOS晶体管
的gm,max确定(W=L≫Lnominal)。
Lnominal(μm):工艺设计规则允许的最小长度。
MOS:金属氧化物半导体。
NMOS:n沟道 MOS晶体管。
PMOS:p沟道......
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