SJ/T 11494-2015 相关标准英文版PDF
| 标准号码 | 价格美元 | 第2步(购买) | 交付天数 | 标准名称 |
| SJ/T 11494-2015 | 279 | SJ/T 11494-2015 | [PDF]天数 <=3 | 硅单晶中III-V族杂质的光致发光测试方法 |
| 基本信息 | |
|---|---|
| 标准编号 | SJ/T 11494-2015 (SJ/T11494-2015) |
| 中文名称 | 硅单晶中III-V族杂质的光致发光测试方法 |
| 英文名称 | Test methods for photoluminescence analysis of single crystal silicon for III-V impurities |
| 行业 | 电子行业标准 (推荐) |
| 中标分类 | H82 |
| 国际标准分类 | 29.045 |
| 字数估计 | 12,161 |
| 发布日期 | 2015-04-30 |
| 实施日期 | 2015-10-01 |
| 引用标准 | GB/T 13389; GB/T 24581 |
| 标准依据 | 工业和信息化部公告(2015年第28号) |
| 发布机构 | 工业和信息化部 |
| 范围 | 本标准规定了硅单晶中硼、磷杂质的光致发光测试方法。本标准适用于低位错密度(＜500个/cm^2)硅单晶中导电性杂质硼、磷含量的测定, 同时也适用于检测硅单晶中含量1×10^11at.cm^-3～5×10^15at.cm^-3的各种电活性杂质。 |
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