SJ/T 11497-2015 相关标准英文版PDF
| 标准号码 | 价格美元 | 第2步(购买) | 交付天数 | 标准名称 |
| SJ/T 11497-2015 | 189 | SJ/T 11497-2015 | [PDF]天数 <=3 | 砷化镓晶片热稳定性的试验方法 |
| 基本信息 | |
|---|---|
| 标准编号 | SJ/T 11497-2015 (SJ/T11497-2015) |
| 中文名称 | 砷化镓晶片热稳定性的试验方法 |
| 英文名称 | Test method for thermal stability testing of gallium arsenide wafers |
| 行业 | 电子行业标准 (推荐) |
| 中标分类 | H83 |
| 国际标准分类 | 29.045 |
| 字数估计 | 8,893 |
| 发布日期 | 2015-04-30 |
| 实施日期 | 2015-10-01 |
| 引用标准 | SJ/T 11488 |
| 标准依据 | 工业和信息化部公告2015年第28号;行业标准备案公告2015年第7号(总第187号) |
| 发布机构 | 工业和信息化部 |
| 范围 | 本标准规定了半绝缘砷化镓(GaAs)晶片热稳定性的试验方法。本标准适用于电阻率在10^4Ω·cm～10^9Ω·cm范围半绝缘砷化稼单晶材料的热稳定性试验。 |
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