SJ/T 11499-2015 相关标准英文版PDF
| 标准号码 | 价格美元 | 第2步(购买) | 交付天数 | 标准名称 |
| SJ/T 11499-2015 | 479 | SJ/T 11499-2015 | [PDF]天数 <=3 | 碳化硅单晶电学性能的测试方法 |
| 基本信息 | |
|---|---|
| 标准编号 | SJ/T 11499-2015 (SJ/T11499-2015) |
| 中文名称 | 碳化硅单晶电学性能的测试方法 |
| 英文名称 | Test method for measuring electrical properties of monocrystalline silicon carbide |
| 行业 | 电子行业标准 (推荐) |
| 中标分类 | H83 |
| 国际标准分类 | 29.045 |
| 字数估计 | 12,128 |
| 发布日期 | 2015-04-30 |
| 实施日期 | 2015-10-01 |
| 引用标准 | GB/T 14264; GB/T 30867-2014 |
| 标准依据 | 工业和信息化部公告2015年第28号;行业标准备案公告2015年第7号(总第187号) |
| 发布机构 | 工业和信息化部 |
| 范围 | 本标准规定了碳化硅晶体材料导电类型、电阻率、迁移率、载流子浓度的测试方法。本标准适用于在(-263.15～426.85)℃温度范围内, 电阻率在1×10^5Ωcm以下、晶型为6H和4H的碳化硅单晶的电学性能测试。 |
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