搜索结果: SJ/T 11499-2015, SJ/T11499-2015, SJT 11499-2015, SJT11499-2015
| 标准编号 | SJ/T 11499-2015 (SJ/T11499-2015) | | 中文名称 | 碳化硅单晶电学性能的测试方法 | | 英文名称 | Test method for measuring electrical properties of monocrystalline silicon carbide | | 行业 | 电子行业标准 (推荐) | | 中标分类 | H83 | | 国际标准分类 | 29.045 | | 字数估计 | 12,128 | | 发布日期 | 2015-04-30 | | 实施日期 | 2015-10-01 | | 引用标准 | GB/T 14264; GB/T 30867-2014 | | 标准依据 | 工业和信息化部公告2015年第28号;行业标准备案公告2015年第7号(总第187号) | | 发布机构 | 工业和信息化部 | | 范围 | 本标准规定了碳化硅晶体材料导电类型、电阻率、迁移率、载流子浓度的测试方法。本标准适用于在(-263.15～426.85)℃温度范围内, 电阻率在1×10^5Ωcm以下、晶型为6H和4H的碳化硅单晶的电学性能测试。 | ......
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